[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包含：衬底，具有第一面；

第一半导体元件，设置在第一面上；

多个半导体元件，以局部覆盖所述第一半导体元件的方式设置在所述第一面；

接着层，设置在所述多个半导体元件与所述第一面之间、及所述多个半导体元件与所述第一半导体元件之间，且具有从所述第一面的正交方向观察时的周缘部朝向所述多个半导体元件的外侧方向鼓出的膨胀部；及

覆盖膜，被覆所述第一半导体元件及所述多个半导体元件。

2.一种半导体装置，包含：衬底，具有第一面；

第一半导体元件，设置在第一面上；

第二接着层，设置在所述第一半导体元件之上；

介置部件，设置在所述第二接着层之上；

多个半导体元件，设置在所述介置部件的与接触所述第二接着层的面为相反侧的面；

接着层，设置在所述多个半导体元件与所述介置部件之间，且具有从所述第一面的正交方向观察时周缘部朝向所述多个半导体元件的外侧方向鼓出的膨胀部；及

覆盖膜，被覆所述多个半导体元件及所述多个半导体元件。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中所述多个半导体元件是分别介隔不同的接着层而设置的。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中所述不同的接着层的所述膨胀部在从所述第一面的正交方向观察时的所述第一半导体元件上相互无间隙地物理接触。

5.根据权利要求3所述的半导体装置，其中所述不同的接着层的所述膨胀部在从所述第一面的正交方向观察时的所述第一半导体元件上相互分开。

6.根据权利要求4所述的半导体装置，其中所述第一半导体元件为控制器，且

所述多个半导体元件为存储器芯片。

7.根据权利要求4所述的半导体装置，其中所述多个半导体元件的数量为4个。

8.一种半导体装置的制造方法，包含如下步骤：在衬底的第一面上设置第一半导体元件；

以从所述第一面的正交方向观察时分别局部覆盖所述第一半导体元件的方式，介隔不同的接着层而将多个半导体元件设置在所述第一面上；

将多个半导体元件朝向所述第一面按压，使从所述第一面的正交方向观察时的所述不同的接着剂的周缘部向外侧鼓出而形成膨胀部；及

形成被覆所述多个半导体元件的覆盖膜。

9.一种半导体装置的制造方法，包含如下步骤：在衬底的第一面上设置第一半导体元件；

在所述第一半导体元件之上设置第二接着层；

在所述第二接着层之上设置介置部件；

在所述介置部件的与接触所述第二接着层的面为相反侧的面，以从所述第一面的正交方向观察时分别局部覆盖所述第一半导体元件的方式，介隔不同的接着层而设置所述多个半导体元件；

将多个半导体元件朝向所述第一面按压，从所述第一面的正交方向观察时，使所述不同的接着剂的周缘部向外侧鼓出而形成膨胀部；及

形成被覆所述多个半导体元件的覆盖膜。

10.根据权利要求8或9所述的半导体装置的制造方法，其中以使所述膨胀部在从所述第一面的正交方向观察时的所述第一半导体元件上相互无间隙地物理接触的方式进行按压。

11.根据权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其中在形成着半导体器件的晶圆贴附接着层，并通过切割而将该晶圆按每个接着层分断，由此形成所述多个半导体元件。