[发明专利]半导体装置及其制造方法

说明书

实施方式提供一种具备不良情况更少的新颖构成的半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置包含：衬底，具有第一面；第一半导体元件，设置在第一面上；多个半导体元件，以局部覆盖第一半导体元件的方式设置在第一面；接着层，设置在多个半导体元件与第一面之间、及多个半导体元件与第一半导体元件之间，且具有从第一面的正交方向观察时的周缘部朝向多个半导体元件的外侧方向鼓出的膨胀部；及覆盖膜，被覆第一半导体元件及多个半导体元件。

[相关申请案]

本申请案享有以日本专利申请2018-170553号(申请日：2019年9月12日)为基础申请案的优先权。本申请案通过参照该基础申请案而包含基础申请案的所有内容。

技术领域

本实施方式涉及一种半导体装置及其制造方法。

背景技术

以往，已知作为半导体装置的半导体存储器，其一体地包含多个存储器元件、以及控制数据从该存储器元件的读出及数据向存储器元件的写入的控制器。

发明内容

实施方式提供一种具备不良情况更少的新颖构成的半导体装置及其制造方法。

实施方式的半导体装置包含：衬底，具有第一面；第一半导体元件，设置在第一面上；多个半导体元件，以局部覆盖第一半导体元件的方式设置在第一面；接着层，设置在多个半导体元件与第一面之间、及多个半导体元件与第一半导体元件之间，且具有从第一面的正交方向观察时的周缘部朝向多个半导体元件的外侧方向鼓出的膨胀部；及覆盖膜，被覆第一半导体元件及多个半导体元件。

附图说明

图1是第1实施方式的半导体存储器的例示且示意性的剖视图。

图2是第1实施方式的半导体存储器的例示且示意性的俯视图。

图3A～3D是表示实施方式的半导体存储器的制造方法的例示且示意性的剖视图。

图4是第1实施方式的变化例的半导体存储器的例示且示意性的俯视图。

图5是第2实施方式的半导体存储器的例示且示意性的剖视图。

图6是第3实施方式的半导体存储器的例示且示意性的剖视图。

具体实施方式

以下，公开半导体存储器的例示性实施方式。以下所示的实施方式的构成及方法(技术特征)、以及通过该构成及方法带来的作用及结果(效果)为一例。另外，以下例示的多个实施方式中包含同样的构成。因此，各实施方式可基于同样的构成获得同样的作用及效果。此外，以下对该同样的构成要素标注共通的符号，并省略重复说明。

另外，在各图中，出于方便而记载表示方向的箭头。方向X、方向Y、及方向Z相互正交。方向X及方向Y为沿衬底10的背面10a及正面10b的方向，方向Z为衬底10的厚度方向。另外，以下，出于方便而将衬底10的正面10b所朝向的方向即图1的上方简称为上方，将衬底10的背面10a所朝向的方向即图1的下方简称为下方。另外，方向X为各图中的右方向。

[第1实施方式]

图1是半导体存储器1A的沿方向Z的剖视图，图2是半导体存储器1A的沿方向Z的相反方向观察的俯视图。

如图1所示，半导体存储器1A包含衬底10、控制器20、存储器元件30、及覆盖层40。

衬底10为电路板，例如为印刷电路板。衬底10具有扁平板状的形状，且具有相互平行的背面10a及正面10b。背面10a及正面10b均与方向Z交叉，并且与方向Z大致正交。