[发明专利]一种抛光用无纺布有效
申请号: | 201811598985.7 | 申请日: | 2018-12-26 |
公开(公告)号: | CN109610092B | 公开(公告)日: | 2021-04-13 |
发明(设计)人: | 李刚;赵昆;雷林;郭志刚;王顺平 | 申请(专利权)人: | 四川金象赛瑞化工股份有限公司 |
主分类号: | D04H1/4382 | 分类号: | D04H1/4382;D04H1/4334;D04H1/435;D04H1/4326;B24D11/00 |
代理公司: | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人: | 吕玲;钱成岑 |
地址: | 620031 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 抛光 无纺布 | ||
本发明涉及无纺布领域,具体为一种抛光用无纺布。该无纺布的配方中包括10%-40%的尼龙短纤维;5-35%的涤纶短纤维和20%-50%的三聚氰胺短纤维;制备方法同常规无纺布的制备工艺。采用该配方制备得到的无纺布耐温,具有良好的耐碱性,更适宜抛光使用,可应用于细微抛光,如CMP工艺中。
技术领域
本发明涉及机械(或化学机械)抛光材料领域,具体为一种抛光用无纺布。
背景技术
化学机械抛光工艺(ChemicalMechanical Polishing,CMP)与光刻、镀膜及刻蚀共同组成半导体四大基础工艺。CMP技术起步于20世纪80年代,最早由美国IBM公司提出。在尖端的半导体科技中,CMP已经成为必不可少的关键工艺,尤其是半导体器件多层布线后,为将器件工艺中表面微细凹凸消除以实现全局平坦化应用上,CMP是目前最直接且最为有效的平坦化方法。正是由于CMP技术的存在和发展,最终实现了半导体器件中的二维构造的电路向高密度、高集成化和高性能超大规模的集成电路的三维架构的转变。
无纺布又称不织布,是由定向的或随机的纤维而构成。因具有布的外观和某些性能而称其为布。
目前市面上抛光用无纺布多为尼龙纤维、涤纶纤维等材料制成;尼龙材料和涤轮材料都是塑性纤维材料,在抛光过程中产生的摩擦热会导致温度的升高,在一定的温度下其力学性能会有较大幅度的下降。因此需要研发出耐温性能更好的摩擦材料。
发明内容
为克服现有无纺布耐温不足的问题,本发明提供一种复合材料无纺布。在该复合材料无纺布中,通过引入三聚氰胺纤维材料来使得耐温、耐磨损性能得到改善。三聚氰胺纤维是热固性纤维材料,无软化点、不熔、不滴,有较高的表面硬度,因此三聚氰胺纤维本身可以作为一种磨料存在其中。三聚氰胺纤维具有良好的吸湿性可以让抛光液更好的吸附在抛光轮上,而涤纶纤维和尼龙纤维的存在弥补了纯三聚氰胺纤维抱合不理想的问题。
为了实现以上发明目的,本发明的技术方案为:
一种抛光用无纺布,包括尼龙短纤维、涤纶短纤维和三聚氰胺短纤维,其中,以质量百分含量计,尼龙10%-40%,涤纶5-40%,三聚氰胺纤维20%-60%;总质量百分含量之和为100%。
作为优选,抛光用无纺布,包括尼龙短纤维、涤纶短纤维和三聚氰胺短纤维,其以质量百分含量计,尼龙占20%,涤纶占30%,三聚氰胺纤维50%。
作为优选,抛光用无纺布,包括尼龙短纤维、涤纶短纤维和三聚氰胺短纤维,其以质量百分含量计,尼龙占25%,涤纶占35%,三聚氰胺纤维45%。
作为优选,以上所述尼龙短纤维、涤纶短纤维和三聚氰胺短纤维中的纤维长度均为38-72mm;纤维细度小于15微米。
以上所述抛光用无纺布的制备方法,其包括以下步骤:
1)按比例混合配置尼龙、涤纶和三聚氰胺纤维;
2)梳理铺网得纤维网;梳理铺网为现有技术。
3)对步骤2)所得的纤维网进行针刺或水刺处理;针刺或水刺处理技术为现有技术。
4)将经过步骤3)处理后的产品进行切边卷绕即得。切边卷绕为现有技术,现有技术均不赘述。
制备得到该无纺布的克重为:60-500克/m2。
该无纺布可用于抛光处理,包括机械设备,器具以及工艺品等。
该无纺布适于细微抛光,如CMP工艺中。
与现有技术相比,本发明的有益效果为:
(一)、本发明中得到的无纺布更适宜抛光使用。
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