[发明专利]半导体装置及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201811599371.0 申请日: 2018-12-26
公开(公告)号: CN110797334B 公开(公告)日: 2023-10-13
发明(设计)人: 松浦永悟 申请(专利权)人: 铠侠股份有限公司
主分类号: H10B80/00 分类号: H10B80/00;H01L23/31;H01L21/98
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 杨林勳
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体装置,具备:

基板,形成着电极;

第1半导体芯片,设置在所述基板的表面上;

导线,将所述第1半导体芯片与所述电极连接;

第2半导体芯片,设置在所述基板的表面上,在朝向所述基板侧的面即背面具有形成着突出部的第1区域及所述第1区域以外的第2区域,所述第2区域位于所述第1半导体芯片或所述导线的至少一部分的上方;

粘接层,设置在所述第1区域与所述基板之间及所述第2区域与所述基板之间;以及

树脂层,设置在所述基板上,且被覆所述第1及第2半导体芯片。

2.根据权利要求1所述的半导体装置,其中所述粘接层与所述第1半导体芯片或所述导线的至少一部分接触。

3.根据权利要求1所述的半导体装置,其中在沿所述第1及第2半导体芯片的排列方向切断的截面中,所述第2区域向从所述第2半导体芯片朝向所述第1半导体芯片的第1方向及相对于该第1方向为相反侧的第2方向这两个方向延伸,

所述粘接层设置在从所述第2半导体芯片向所述第1方向延伸的所述第2区域与所述基板之间、以及从所述第2半导体芯片向所述第2方向延伸的所述第2区域与所述基板之间。

4.根据权利要求1所述的半导体装置,其中所述第2区域设置在所述第2半导体芯片的所述第1区域的整个外周。

5.根据权利要求1所述的半导体装置,其中多个所述第2半导体芯片分开设置在所述第1半导体芯片的两侧,且

在多个所述第2半导体芯片间设置着所述树脂层。

6.根据权利要求1所述的半导体装置,其中所述第2半导体芯片具有多个所述第1区域,且遍及所述第1半导体芯片的上方而设置,

所述第1半导体芯片配置在所述多个第1区域间。

7.一种半导体装置,具备:

基板,形成着电极;

第1半导体芯片,设置在所述基板的表面上;

导线,将所述第1半导体芯片与所述电极连接;

第2半导体芯片,设置在所述基板的表面上,在朝向所述基板侧的面即背面具有形成着突出部的第1区域及所述第1区域以外的第2区域,所述第2区域位于所述第1半导体芯片或所述导线的至少一部分的上方;

粘接层,设置在所述第1区域与所述基板之间及所述第2区域与所述基板之间,且与所述第1半导体芯片或所述导线的至少一部分接触;以及

树脂层,设置在所述基板上,且被覆所述第1及第2半导体芯片;且

在沿所述第1及第2半导体芯片的排列方向切断的截面中,所述第2区域向从所述第2半导体芯片朝向所述第1半导体芯片的第1方向及相对于该第1方向为相反侧的第2方向这两个方向延伸,

多个所述第2半导体芯片分开设置在所述第1半导体芯片的两侧。

8.一种半导体装置,具备:

基板,形成着电极;

第1半导体芯片,设置在所述基板的表面上;

导线,将所述第1半导体芯片与所述电极连接;

第2半导体芯片,设置在所述基板的表面上,在朝向所述基板侧的面即背面具有形成着突出部的第1区域及所述第1区域以外的第2区域,所述第2区域位于所述第1半导体芯片或所述导线的至少一部分的上方;

粘接层,设置在所述第1区域与所述基板之间及所述第2区域与所述基板之间,且与所述第1半导体芯片或所述导线的至少一部分接触;以及

树脂层,设置在所述基板上,且至少被覆所述第2半导体芯片;且

在沿所述第1及第2半导体芯片的排列方向切断的截面中,所述第2区域向从所述第2半导体芯片朝向所述第1半导体芯片的第1方向及相对于该第1方向为相反侧的第2方向这两个方向延伸,

所述第2半导体芯片具有多个所述第1区域,且遍及所述第1半导体芯片的上方而设置,

所述第1半导体芯片配置在所述多个第1区域之间。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的半导体装置,其中所述第2区域与所述第1区域的厚度差大于所述第1半导体芯片的厚度。

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