[发明专利]一种掩膜版用高精度二维运动机构在审
申请号: | 201811599524.1 | 申请日: | 2018-12-26 |
公开(公告)号: | CN109491201A | 公开(公告)日: | 2019-03-19 |
发明(设计)人: | 王文杰 | 申请(专利权)人: | 仪晟科学仪器(嘉兴)有限公司 |
主分类号: | G03F1/80 | 分类号: | G03F1/80 |
代理公司: | 嘉兴启帆专利代理事务所(普通合伙) 33253 | 代理人: | 廖银洪 |
地址: | 314000 浙江省嘉兴市南湖区亚*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 掩膜版 二维运动机构 压电陶瓷电机 二维 支架 支撑板 掩膜版图案 掩膜版位置 薄膜器件 连续调节 体积小 行运动 生长 底端 基底 压紧 压片 | ||
本发明公开了一种掩膜版用高精度二维运动机构,包括二维压电陶瓷电机组件,用于实现在X轴和Z轴两个方向上进行运动;支撑板,设置于所述二维压电陶瓷电机组件的Z轴伸缩杆的底端;掩膜版支架,设置于所述支撑板一端的上方,用于放置掩膜版;第二压片,设置在所述掩膜版支架上,用于将所述掩膜版压紧在所述掩膜版支架上。本发明的掩膜版用高精度二维运动机构克服了薄膜器件生长掩膜版运动精度以及掩膜版位置控制的问题,并且掩膜版图案更换方便;由于二维压电陶瓷电机组件体积小、行程大、精度高,可以将掩膜版用高精度二维运动机构尺寸做到很小;使用过程中不受基底尺寸和生长器件尺寸的限制、行程可以连续调节。
技术领域
本发明涉及纳米器件和/或有机薄膜器件的制备和测试领域,具体涉及一种掩膜版用高精度二维运动机构。
背景技术
高质量的薄膜器件具有非常优良的物理性能和化学性能,高质量薄膜的制备和测量表征均需在无氧无水的真空腔体中进行。掩膜版是经过特定工艺制备的具有特定图案的模板,蒸发的样品、光或离子束可以从模板上面镂空部分透过从而在掩膜版的另外一侧的基底上生长出特定图案的器件或刻蚀出特定图案的器件。
国家知识产权局于2014.05.14公开了一件公开号为CN103792443A,名称为“探针台、有机薄膜器件的制备与测试集成系统及其方法”的专利,该专利公开了“一种探针台、有机薄膜器件的制备与测试集成系统及其方法,其中,使有机薄膜器件制备装置与探针台密封连接并在二者之间形成对外密封的样品传递通道,通过设置样品传递装置以将样品经由所述样品传递通道在所述有机薄膜器件制备装置与所述探针台之间进行传送,样品传送过程的全程均隔绝外界环境气氛影响,使得有机薄膜器件的生成和测试均隔离外界环境并处于密闭和真空环境中,有效提高测试准确度。”
因此,薄膜样品生长过程中有时候会按照需要在特定的位置生长特定形状的器件在进行原位物理或化学性能测试,或者在已经生长好的薄膜上面使用离子束刻蚀出特定图案的器件再进行原位物理或化学性能测试,这就需要一套可以精密运动的掩膜版运动机构。
基于上述情况,本发明提出了一种掩膜版用高精度二维运动机构,可有效解决以上问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种掩膜版用高精度二维运动机构。本发明的掩膜版用高精度二维运动机构结构简单,使用方便,克服了薄膜器件生长掩膜版运动精度以及掩膜版位置控制的问题;由于二维压电陶瓷电机组件体积小、行程大、精度高,可以将掩膜版用高精度二维运动机构尺寸做到很小;使用过程中不受基底尺寸和生长器件尺寸的限制、行程可以连续调节,由于二维压电陶瓷电机组件的使用,能很好地适应超高真空、低温、高温工作环境。
本发明通过下述技术方案实现:
一种掩膜版用高精度二维运动机构,包括
二维压电陶瓷电机组件,用于实现在X轴和Z轴两个方向上进行运动;
支撑板,设置于所述二维压电陶瓷电机组件的Z轴伸缩杆的底端;
掩膜版支架,设置于所述支撑板一端的上方,用于放置掩膜版;
第二压片,设置在所述掩膜版支架上,用于将所述掩膜版压紧在所述掩膜版支架上。
本发明的掩膜版用高精度二维运动机构结构简单,使用方便,克服了薄膜器件生长掩膜版运动精度以及掩膜版位置控制的问题;由于二维压电陶瓷电机组件体积小、行程大、精度高,可以将掩膜版用高精度二维运动机构尺寸做到很小;使用过程中不受基底尺寸和生长器件尺寸的限制、行程可以连续调节,由于二维压电陶瓷电机组件的使用,能很好地适应超高真空、低温、高温工作环境。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于仪晟科学仪器(嘉兴)有限公司,未经仪晟科学仪器(嘉兴)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811599524.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备