[发明专利]可用于去毛刺的去胶剂及其制备方法和应用有效

专利信息
申请号: 201811599894.5 申请日: 2018-12-26
公开(公告)号: CN111363631B 公开(公告)日: 2023-04-28
发明(设计)人: 王溯;蔡进 申请(专利权)人: 上海新阳半导体材料股份有限公司
主分类号: C11D1/14 分类号: C11D1/14;C11D1/72;C11D1/22;C11D3/10;C11D3/04;C11D3/30;C11D3/20;C11D3/28;C11D3/33;C11D3/32;C11D3/34;C11D3/60
代理公司: 上海弼兴律师事务所 31283 代理人: 薛琦;王卫彬
地址: 201616 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 用于 毛刺 去胶剂 及其 制备 方法 应用
【说明书】:

发明公开了一种可用于去毛刺的去胶剂及其制备方法和应用。本发明的去胶剂,其包括下述质量分数的组分:20%‑70%的溶剂、10%‑50%有机胺、0.01%‑50%还原剂、0.01%‑5%无机碱、0.01%‑10%表面活性剂、0.1%‑5%挥发结晶抑制剂和水;所述去胶剂的pH值为7.5‑13.5,所述挥发结晶抑制剂为凡士林和氯化石蜡的混合物,所述凡士林与所述氯化石蜡的质量比为1:1~3:1。本发明的去胶剂对tape胶和溢料具有去除效果,无结晶物,使用寿命长。

技术领域

本发明涉及一种可用于去毛刺的去胶剂及其制备方法和应用。

背景技术

半导体在封装的过程中,塑封体和引脚上会残留各种胶状物质,如tape胶(胶带的胶膜,或称为胶带胶膜,成分一般为硅烷类树脂)或溢料(又称毛刺或飞边,成分一般为环氧塑封料)等,需要清除。否则会导致封装工艺中的框架变形、漏镀、镀层缺陷而影响产品的可靠性,造成产品断路、虚焊等问题,影响管脚的电气导通性能,严重的会导致返工及芯片功能失效甚至报废,这带来了封装工艺的繁杂及成本的上升。因此,去tape胶(detape)和去溢料(deflash或debur)是半导体集成电路封装后处理的重要工艺步骤,尤其是“倒装QFN”(FCQFN)的封装工艺中需要用到。

目前去tape胶(detape)或去溢料(deflash或debur)的方法有高压水喷射去胶、高压水喷砂去胶、激光去胶、化学药水去胶及电化学方法去胶等。其中高压水喷射去胶、高压水喷砂去胶、激光去胶和电化学方法去胶,成本较高且方法剧烈,化学药水去胶由于其低成本及条件温和,逐渐成为主流方法。

化学药水去胶也存在效果不佳的问题,如药水寿命短、药水去除力不够、药水对塑封体和基材有损伤、药水无法一步法去除tape胶和溢料(即只能够单独去除tape或溢料,而不能同时去除tape胶和溢料)等问题。

CN102864458A中公开了一种环保型弱酸性去毛刺软化液,其组分和百分比为:二甲基乙酰胺30-50%、二甲基亚砜30%-50%、糠醛0.5%-1%、OP-10表面活性剂0.5-1%、其余为水。该软化液存在寿命短的缺陷,寿命在一周左右([0022]段),且该软化液仅是用于去毛刺(溢料)。

CN102808190A中公开了一种环保型弱碱性低温去毛刺软化液,其各组分和质量百分比为:四氢呋喃10-35%、丙二醇10%-35%、烷基酚聚氧乙醚烯1-5%、乙醇胺5-20%、N-甲基二乙醇胺1-10%、其余为水。该软化液仅是用于去毛刺(溢料)。

CN1935939A中公开了一种集成电路封装后处理用去毛刺溶液,采用下列配方:乙二醇苯醚35%、二乙二醇二丁醚20%、己内酰胺15%、甘油10%和异氟尔酮20%。该去毛刺溶液仅是用于去毛刺(溢料)。

CN103128892A中公开了一种去溢料的溶液,包含质量百分数为10-60%的1,3-二甲基-2-咪唑烷酮、10-30%的乙醇胺、10-60%的六甲基磷酰三胺、0-10%的去离子水。该去溢料的溶液仅是用于去溢料。

CN102270587B中公开了一种塑封晶体管溢料软化液,包含酰胺化合物、烷基醚、NH4F、碱性调整剂、水。该软化液仅是用于去毛刺(溢料)。

目前市场上的去胶液均还存在挥发结晶的问题,挥发结晶物不仅损耗去胶所用设备,而且带来挥发结晶物清洗的繁琐步骤等问题。

因此,本领域迫切需要开发一种集成电路封装后处理用去tape胶和/或去溢料的去胶液,并且其挥发性较低,不容易出现挥发结晶物,来解决这些问题。

发明内容

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