[发明专利]一种TFT模型参数的提取方法

说明书

一种TFT模型参数的提取方法，包括：接收并处理测量数据，生成提取电路；选择TFT模型种类，将输入的电流数据划分为多个电流区域，并得到各电流区域的电流区域模型方程；预定义所述测量数据和所述TFT模型的误差计算方案；基于所述电流区域模型方程和电流数据分布计算模型参数的初始值；进行模型的参数优化，计算误差数据和所述模型结果之间的关系；进行错误检查。本发明的TFT模型参数的提取方法，可以准确有效地对平板设计进行电路仿真，并验证其设计。

技术领域

本发明涉及平板设计技术领域，特别是涉及一种TFT模型参数的提取方法。

背景技术

目前, 传统的 RPI TFT 模型利用器件端点的电压进行电流及电容计算，主要用于描述大尺寸TFT，已经提出并延续使用了 30多年, 期间其模型并没有任何进一步的改进与创新。面对当今TFT 器件，尽管传统RPI TFT模型仍然在用，但其已经不能对许多高阶的电流行为正确建模。

如今, 随着平板显示器设计越来越复杂, 对功耗边缘设计的要求也越来越高,当前许多TFT器件进行了技术上的创新，传统的RPI TFT模型已完全不能满足设计人员进行准确有效仿真验证及设计的需求。

发明内容

为了解决现有技术存在的不足，本发明的目的在于提供一种TFT模型参数的提取方法，基于传统RPI TFT模型，提供大多数特殊电流行为，可以准确有效地对平板设计进行电路仿真，验证其设计。

为实现上述目的，本发明提供的TFT模型参数的提取方法，包括：

1）接收并处理测量数据，生成提取电路；

2）选择TFT模型种类，将输入的电流数据划分为多个电流区域，并得到各电流区域的电流区域模型方程；

3）预定义所述测量数据和所述TFT模型的误差计算方案；

4）基于所述电流区域模型方程和电流数据分布计算模型参数的初始值；

5）进行模型的参数优化，计算误差数据和所述模型结果之间的关系；

6）进行错误检查。

进一步地，步骤1）所述的生成提取电路，是根据TFT的器件尺寸参数、工艺参数、介电常数及数据量测温度，自动生成提取工具可以读取并操作的提取电路。

进一步地，步骤2）所述的输入的电流数据划分为多个电流区域，是根据输入的电流数据和器件电流特性，将输入电流数据划分为多个电流区域。

进一步地，步骤3）所述误差计算方案，包括，线性均方根计算，线性平均误差，线性最大误差，对数均方根计算，对数平均误差，对数最大误差。

进一步地，所述步骤3）进一步包括：根据各电流区域的电流分布和当前趋势，计算各区域电流所涉及的初始模型参数。

更进一步地，所述步骤6）进一步包括：

重新计算电流及电容并与原始数据进行误差计算；

并对模型参数优化前后的误差进行比较。

为实现上述目的，本发明还提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机指令，所述计算机指令运行时执行如上文所述的TFT模型参数的提取方法得步骤。

为实现上述目的，本发明还提供一种终端设备，包括存储器和处理器，所述存储器上储存有在所述处理器上运行的计算机指令，所述处理器运行所述计算机指令时执行上述的TFT模型参数的提取方法的步骤。

本发明的TFT模型参数的提取方法，具有以下有益效果：

1）提供了传统RPI TFT模型中未包含到的大多数特殊电流行为。通过优化的模型提取流程，可以准确提取用于模拟新的创新电流行为的新增模型参数。