[发明专利]一种存储器校准系统及方法、可读存储介质

说明书

本发明公开了一种存储器校准系统及方法、可读存储介质，其中，所述存储器校准方法包括：从第一存储器读取第一数据，所述第一数据包括第二存储器用于校准的预存参数；对所述第一数据进行第一次校验；若所述第一数据通过第一校验，则对所述第一数据进行第二校验；若所述第一数据通过第二校验，则使用所述第一数据配置所述第二存储器的控制器；对所述第二存储器进行测试，若测试通过，则完成对所述第二存储器的校准。通过上述方式，本发明能够快速完成存储器的校准。

技术领域

本发明涉及存储器技术领域，特别是涉及一种存储器校准系统及方法、可读存储介质。

背景技术

电子设备在每次开机启动的时候，处理器会先运行固化在芯片内部的引导程序，然后会将引导程序搬到芯片的静态随机存取存储器(Static Random-Access Memory，SRAM)中运行，引导程序会设置各种必要的锁相回路(Phase Locked Loop，PLL)并初始化动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)的控制器，为后续使用DRAM做准备；在初始化DRAM控制器的过程中，会对DRAM的全部参数进行校准以获取DRAM正常工作所需的参数。

本申请的发明人在长期的研发过程中，发现现有技术方案中，由于每次校准都需要获取DRAM的全部参数，所需时间较长。

发明内容

本发明提供一种存储器校准系统及方法、可读存储介质，能够解决现有技术中存储器校准时间过长的技术问题。

为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种存储器校准方法，包括：

从第一存储器读取第一数据，所述第一数据包括第二存储器用于校准的预存参数；

对所述第一数据进行第一次校验；

若所述第一数据通过第一校验，则对所述第一数据进行第二校验；

若所述第一数据通过第二校验，则使用所述第一数据配置所述第二存储器的控制器；

对所述第二存储器进行测试，若测试通过，则完成对所述第二存储器的校准。

为解决上述技术问题，本发明采用的另一个技术方案是：提供一种存储器校准系统，所述系统包括第一存储器、第二存储器以及处理器，所述第一存储器内存储有第一数据；处理器用于从第一存储器读取第一数据，所述第一数据包括第二存储器的预存参数；还用于对第一数据进行第一校验和第二校验，并判断所述第一数据是否有效；若所述第一数据有效，则使用所述第一数据配置所述第二存储器的控制器；还用于对所述第二存储器进行测试，若测试通过，则完成对所述第二存储器的校准。

为解决上述技术问题，本发明采用的又一个技术方案是：提供一种可读存储介质，存储有指令，所述指令被执行时实现上述所述方法中的步骤。

本发明的有益效果是：区别于现有技术的情况，本发明提供的存储器校准方法中需要获取第二存储器的参数时先从第一存储器中读取第一数据，第一数据包括第二存储器的预存参数，第一数据可用的情况下直接使用第一数据来配置第二存储器的控制器，在判断第一数据是否可用的过程中只需对第二存储器的部分参数进行校准来判断，无需对第二存储器进行完整的校准，能够有效节省配置第二存储器的时间，加快系统启动。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。其中：

图1是本发明存储器校准方法一实施方式的流程示意图；

图2是图1所示的步骤S20的具体步骤流程示意图；

图3是图1所示的步骤S30的具体步骤流程示意图；