[发明专利]一种阵列基板及其制作方法

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

基板；

设置在所述基板上的有源层；

设置在所述有源层上的栅绝缘层；

设置在所述栅绝缘层上的金属层；

其中，所述有源层包括两端的源极和漏极，以及位于所述源极和所述漏极之间的沟道区。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述有源层的制作材料包括多晶硅和铟镓锌氧化物中的其中一者。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述有源层的制备材料包括铟镓锌氧化物，所述有源层还包括像素电极，所述像素电极位于所述沟道区远离所述源极的一侧。

4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述栅绝缘层的位置和图案与所述沟道区的位置和图案相对应。

5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：

设置在所述金属层上方并覆盖所述有源层的钝化层；

设置在所述钝化层上的透明电极。

6.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：

步骤S10、提供一基板；

步骤S20、在所述基板上通过第一光罩工艺形成图案化的通道层；

步骤S30、在所述通道层上通过第二光罩工艺形成层叠设置的图案化的栅绝缘层和图案化的金属层，所述栅绝缘层与所述通道层接触；

步骤S40、以所述金属层作为光罩，对所述通道层的两端进行离子注入以形成有源层，所述有源层包括中间的沟道区以及分别位于所述沟道区两端的源极和漏极。

7.根据权利要求6所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述有源层的制作材料包括多晶硅和铟镓锌氧化物中的其中一者。

8.根据权利要求6所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述有源层的制备材料包括铟镓锌氧化物，所述有源层还包括像素电极，所述像素电极位于所述沟道区远离所述源极的一侧，所述像素电极、所述源极与所述漏极在同一道离子注入中形成。

9.根据权利要求6所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，采用电浆工艺对所述通道层进行离子注入。

10.根据权利要求6所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述阵列基板的制作方法还包括：

步骤S50、在所述金属层上形成非金属层，采用第三光罩工艺对所述非金属层进行图案化以形成钝化层；

步骤S60、在所述钝化层上形成透明电极。