[发明专利]一种阵列基板及其制作方法

说明书

本申请提出了一种阵列基板及其制作方法。所述阵列基板包括基板。设置在基板上的有源层。设置在有源层上的栅绝缘层。设置在栅绝缘层上的金属层。其中，所述有源层包括两端的源极和漏极，以及位于所述源极和漏极之间的沟道区。本申请通过将有源层的两端直接作为源极和漏极使用，从而在省掉一层绝缘层的基础上，能够减少两道光罩制程，有效的简化了阵列基板的制作工艺，减少了产品的成本。

技术领域

本申请涉及显示领域，特别涉及一种阵列基板及其制作方法。

背景技术

近年来，基于金属氧化物的薄膜晶体管因为其迁移率高、透光性好、薄膜结构稳定、制备温度低以及成本低等优点受到越来越多的重视。特别是以铟镓锌氧化物(In-Ga-Zn-O,IGZO)为代表的金属氧化物TFT，与目前a-Si TFT制成兼容性较高，因而在大尺寸显示面板的生产中得到了广泛的应用。

现有技术中制备薄膜晶体管的方法包括四个光罩步骤，分别为：

使用第一光罩在基板上制作有源层图案；

使用第二光罩制作第一绝缘层图案；

使用第三光罩制作金属层图案；

使用第四光罩制作第二绝缘层图案；

使用第五光罩制作漏极和源极图案。

因此，如何节省光罩的成本及简化工艺为业界所持续研究的课题。

发明内容

本申请提供一种阵列基板及其制作方法，以解决阵列基板制程采用光罩工艺使用次数较多，生产工艺复杂且成本较高的问题。

为解决上述问题，本申请提供的技术方案如下：

根据本申请的一个方面，提供了一种阵列基板，包括：

基板；

设置在所述基板上的有源层；

设置在所述有源层上的栅绝缘层；

设置在所述栅绝缘层上的金属层；

其中，所述有源层包括两端的源极和漏极，以及位于所述源极和所述漏极之间的沟道区。

根据本申请一实施例，所述有源层的制作材料包括多晶硅和铟镓锌氧化物中的其中一者。

根据本申请一实施例，所述有源层的制备材料包括铟镓锌氧化物，所述有源层还包括像素电极，所述像素电极位于所述沟道区远离所述源极的一侧。

根据本申请一实施例，所述栅绝缘层的位置和图案与所述沟道区的位置和图案相对应。

根据本申请一实施例，所述阵列基板还包括：

设置在所述金属层上方并覆盖所述有源层的钝化层；

设置在所述钝化层上的透明电极。

根据本申请的另一个发明、还提供了一种阵列基板的制作方法，包括：

步骤S10、提供一基板；

步骤S20、在所述基板上通过第一光罩工艺形成图案化的通道层；

步骤S30、在所述基板上通过第二光罩工艺形成层叠设置的图案化的栅绝缘层和图案化的金属层，所述栅绝缘层与所述通道层接触；

步骤S40、以所述金属层作为光罩，对所述通道层的两端进行离子注入以形成有源层，所述有源层包括中间的沟道区以及分别位于所述沟道区两端的源极和漏极。

根据本申请一实施例，所述有源层的制作材料包括多晶硅和铟镓锌氧化物中的其中一者。