[发明专利]一种光模块参数配置方法、装置、设备及存储介质

说明书

本申请公开了一种光模块参数配置方法、装置、设备及存储介质，包括：将光模块放置在高温环境下，当MCU温度指针达到目标工作温度时，调节激光器核心温度值、偏压电流值和VEA值，使光模块的光功率、消光比、通道代价满足目标值；以光模块中MCU温度指针为索引，根据服务器上预先存储的数据库中激光器核心温度值、VEA值与调节后的激光器核心温度值、VEA值的对应关系，动态更新本地数据库中激光器核心温度值、VEA值；在常温和低温下分别测试光模块的光功率、消光比和通道代价，若性能正常，则完成参数配置。本申请通过上述步骤将带EML激光器的光模块在高温调试和常温低温测试，即能制作成品率高和合格率高的产品。

技术领域

本发明涉及光电通信领域，特别是涉及一种光模块参数配置方法、装置、设备及存储介质。

背景技术

电吸收调制激光器(Electlro-absorption Modulated Laser，EML)内部集成有光隔离器、背光监控、TEC制冷片、热敏电阻等部件，具有集成度高、速率高、隔离度高等特点，应用于光模块中。

EML激光器的反向偏置电压(Voltage Electro-absorption，VEA)是影响光模块的光功率和通道代价的关键因素，常常由于VEA的调试导致光功率不能满足要求。又由于EML激光器的TEC在制热效率大于制冷效率，即TEC制热所需要的电流远小于TEC制冷所需要的电流，当环境温度大于激光器的目标温度时，TEC制冷，且越大于激光器的目标温度时，TEC的工作电流越大，导致TEC的制冷效率越差，而当环境温度小于激光器的目标温度时，TEC制热，且越小于激光器的目标温度时，TEC的工作电流越大，导致TEC的制热效率越差，进而导致光模块在高温或者低温时功耗急剧增加。

目前，现有的带EML激光器的光模块参数配置方法中，以环境温度为参考值，设置VEA最小初始值，再在EML激光器工作波长满足要求的前提下，调整光眼图交叉点、消光比、温度、自动光功率控制的取值，使得EML激光器的光眼图交叉点、消光比、输出光功率、工作波长满足使用要求；再检测VEA是否达到设定的电吸收反向偏置电压范围的最大值，若否则逐渐增加VEA值，直至光眼图交叉点、消光比、输出光功率、偏置电流和光眼图富裕量均满足设定的要求范围，且全温下VEA和激光器工作温度不做改变。该方法容易产生高低温时，光模块的光功率、通道代价等参数有比较大的概率出现产品不良。

因此，如何解决在高低温时，光模块的参数有较大概率出现产品不良的问题，是本领域技术人员亟待解决的技术问题。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种光模块参数配置方法、装置、设备及存储介质，通过将带EML激光器的光模块经高温调试和常温低温测试，可以得到成品率高，合格率高的产品。其具体方案如下：

一种光模块参数配置方法，包括：

将光模块放置在高温环境下，当所述光模块中MCU温度指针达到目标工作温度时，调节EML激光器核心温度值、偏压电流值和VEA值，使所述光模块的光功率、消光比、通道代价满足目标值；

以所述光模块中MCU温度指针为索引，保持偏压电流值不变，根据服务器上预先存储的数据库中EML激光器核心温度值、VEA值与调节后的EML激光器核心温度值、VEA值的对应关系，动态更新本地数据库中EML激光器核心温度值、VEA值；

根据更新后的本地数据库中的参数，在常温和低温下分别测试所述光模块的光功率、消光比和通道代价，若性能正常，则完成参数配置。

优选地，在本发明实施例提供的上述光模块参数配置方法中，在将光模块放置在高温环境下之前，还包括：

以光模块中MCU温度指针为索引，下载服务器上预先存储的数据库中设置的参数值，根据下载好的参数值设置初始的EML激光器核心温度值，偏压电流值和VEA值。