[发明专利]一种太阳能电池制备方法在审
申请号: | 201811603068.3 | 申请日: | 2018-12-26 |
公开(公告)号: | CN109671807A | 公开(公告)日: | 2019-04-23 |
发明(设计)人: | 徐冠群;包健;张昕宇;金浩 | 申请(专利权)人: | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/068 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 罗满 |
地址: | 314416 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池制备 重扩散 去除 硅片正面 预定区域 硅片 膜区 激光 选择性发射极 正面电极层 正面钝化层 发电效率 开路电压 轻扩散层 硼扩散 掩膜层 方阻 制绒 电池 扩散 | ||
1.一种太阳能电池制备方法,其特征在于,包括:
步骤1,对制绒后的硅片正面进行硼轻扩散后形成硼轻扩散层以及BSG层;
步骤2,在所述BSG层的预定区域进行激光开膜,去除所述掩膜层形成开膜区;
步骤3,在所述开膜区进行硼重扩散,形成硼重扩散区;
步骤4,去除所述BSG层;
步骤5,在所述硅片正面设置正面钝化层和正面电极层。
2.如权利要求1所述太阳能电池制备方法,其特征在于,在所述步骤1还包括:对制绒后的硅片正面进行硼轻扩散前在背面沉积掩膜层。
3.如权利要求2所述太阳能电池制备方法,其特征在于,所述掩膜层为氮氧化硅掩膜层、氮化硅掩膜层或氧化硅掩膜层。
4.如权利要求3所述太阳能电池制备方法,其特征在于,所述步骤4包括:
采用HF和HNO3混合溶液去除所述BSG层和所述掩膜层。
5.如权利要求4所述太阳能电池制备方法,其特征在于,所述步骤6包括:
在所述硅片的正面丝网印刷银电极层和在背面丝网印刷银铝电极层。
6.如权利要求5所述太阳能电池制备方法,其特征在于,还包括在所述银电极层与所述硅片之间沉积正面钝化层、减反射膜层。
7.如权利要求6所述太阳能电池制备方法,其特征在于,所述正面钝化层为氮化硅钝化层。
8.如权利要求7所述太阳能电池制备方法,其特征在于,所述减反射膜层为二氧化硅减反射膜层或三氧化二铝减反射膜层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的