[发明专利]一种太阳能电池制备方法

说明书

本发明公开了一种太阳能电池制备方法，包括：步骤1，对制绒后的硅片正面进行硼轻扩散后形成硼轻扩散层以及BSG层；步骤2，在BSG层的预定区域进行激光开膜，去除掩膜层形成开膜区；步骤3，在开膜区进行硼重扩散，形成硼重扩散区；步骤4，去除BSG层；步骤5，在硅片正面设置正面钝化层和正面电极层。所述太阳能电池制备方法，通过先在硅片的正面进行轻浓度硼扩散，将硅片的正面变为高方阻区，形成BSG层，然后通过在预定区域激光开膜的方式，将对应的BSG层去除，使得只有在没有BSG层的区域不同区域才能形成硼重扩散区，获得了硼的选择性发射极，提高了电池的开路电压以及发电效率。

技术领域

本发明涉及太阳能电池制备技术领域，特别是涉及一种太阳能电池制备方法。

背景技术

由于在太阳能电池中，N型电池相比于P型电池具有高效率和高可靠性的优势，N型电池越来越受到市场的青睐。

目前，在上述技术的基础上实现效果明显的选择性发射极是个技术难题。利用反刻法和激光掺杂实现选择性发射极技术已经在P型电池上实现了量产，激光掺杂技术在硼发射极上实现选择性发射极效果并不好，反刻技术如果将在P型电池上的技术方案直接套在N型电池上效果也不佳，目前行业并没有一种可以实现效果很好的硼选择性发射极技术。

N型电池的硼发射极一般是采用管式扩散、旋涂加管式推结、离子注入、APCVD法沉积BSG加上退火等方式形成，N型电池的硼发射极相比P型电池的磷发射极结要深，表面浓度要低，所以要想实现硼选择性发射极需要面对很多技术上的难题。

反刻法和激光掺杂是实现磷选择性发射极十分成熟的技术。但是，对于硼发射极，如果使用常用于实现磷选择性发射极的反刻法，使用到的混酸对于硼发射极会出现刻蚀速率较慢、反应不均匀等问题，造成反刻法实现硼选择性发射极十分困难；对于常规用到的激光掺杂技术，如果用于硼选择性发射极的制备同样存在很多问题，一方面是硼发射极表面浓度较低，BSG里面的硼原子量相比体内也不会高太多，造成要掺杂进相同多的原子数量比掺硼相比掺磷原子需要更高的能量，另一方面是硼原子十分不容易扩散进硅基体中，需要运用很高的能量才可以实现。

综上，反刻法和激光掺杂的方案目前在实现硼选择性发射极上面效果都不佳。

发明内容

本发明的目的是提供了一种太阳能电池制备方法，实现了硼选择性发射极的制备，提高了电池效率。

为解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种太阳能电池制备方法，包括：

步骤1，对制绒后的硅片正面进行硼轻扩散后形成硼轻扩散层以及BSG层；

步骤2，在所述BSG层的预定区域进行激光开膜，去除所述掩膜层形成开膜区；

步骤3，在所述开膜区进行硼重扩散，形成硼重扩散区；

步骤4，去除所述BSG层；

步骤5，在所述硅片正面设置正面钝化层和正面电极层。

其中，在所述步骤1还包括：对制绒后的硅片正面进行硼轻扩散前在背面沉积掩膜层。

其中，所述掩膜层为氮氧化硅掩膜层、氮化硅掩膜层或氧化硅掩膜层。

其中，所述步骤4包括：

采用HF和HNO₃混合溶液去除所述BSG层和所述掩膜层。

其中，所述步骤6包括：

在所述硅片的正面丝网印刷银电极层和在背面丝网印刷银铝电极层。

其中，还包括在所述银电极层与所述硅片之间沉积正面钝化层、减反射膜层。

其中，所述正面钝化层为氮化硅钝化层。