[发明专利]POLY-270剥离清洗液及其制备方法

说明书

本发明提供了POLY‑270剥离清洗液及其制备方法，POLY‑270剥离清洗液，该POLY‑270剥离清洗液的原料包括碱性试剂、有机溶剂、儿茶酚、羟胺和水。POLY‑270剥离清洗液，剥离清洗液又称striper，用于IC和分立器件中Polymer，光阻的去处，由有机碱还原剂和有机溶剂组成，使用本发明技术制备的POLY‑270剥离清洗液本发明去除了传统IC制造中传统剥离液表面张力大，使用麻烦，难以清洁，功能单一的缺陷的问题。

技术领域

本发明涉及IC制造领域，特别涉及IC光刻剥离清洗液。

背景技术

目前在半导体制造工艺中，通过在一些材料的表面上形成光刻胶的掩膜，曝光后进行图形转移，在得到需要的图形之后，进行下一道工序之前，需要剥去残留的光刻胶。并且光刻中需要使用到光阻，亦称为光阻剂，是一个用在许多工业制程上的光敏材料。像是光刻技术，可以在材料表面刻上一个图案的被覆层。在这个过程中要求完全除去不需要的光刻胶，同时不能腐蚀任何基材。目前，光刻胶清洗液主要由极性有机溶剂、强碱和/或水等组成，通过将半导体晶片浸入清洗液中或者利用清洗液冲洗半导体晶片，去除半导体晶片上的光刻胶。

聚合物(Polymer)，光刻胶是聚合物的一种。

传统的剥离溶剂功能单一，能除去Polymer，不能除去光阻，而能除去光阻的则不能除去Polymer，而且传统的剥离液还有以下缺点：

1.表面张力大，当IC制造条件低于250nm时，几乎不可能完成Polymer的去除，对于高端IC制造尤为重要。

2.传统剥离溶剂以有机溶剂为主，去除光阻后，光阻的清洗费时费力。

3.传统的剥离液不能同时出去Polymer和光阻，影响产量，故高端IC制造除去Polymer，要找一种简单实用的药剂是急需解决的问题。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明提供了POLY-270剥离清洗液及其制备方法，POLY-270剥离清洗液，又称striper，用于IC和分立器件中Polymerer，光阻的去处，由有机碱还原剂和有机溶剂组成，使用本发明技术制备的POLY-270剥离清洗液本发明去除了传统IC制造中传统剥离液表面张力大，使用麻烦，难以清洁，功能单一的缺陷的问题。

本发明可以对IC制程中前道的所有聚合物(Polymerer)。

根据本发明的一方面，提供了一种POLY-270剥离清洗液的制备方法，该POLY-270剥离清洗液的原料包括碱性试剂、有机溶剂、儿茶酚、羟胺和水，方法步骤如下：

将碱性试剂抽入反应釜中，再将有机溶剂抽入反应釜中，加入儿茶酚，搅拌均匀，加入羟胺，搅拌均匀，加入水稀释，过滤出料即可。

根据本发明的另一方面，提供了POLY-270剥离清洗液的制备方法，上述碱性试剂由单乙醇胺，异丙醇胺混合而成。

根据本发明的另一方面，提供了POLY-270剥离清洗液的制备方法，上述有机溶剂为二乙醇丁醚。

根据本发明的另一方面，提供了POLY-270剥离清洗液的制备方法，上述单乙醇胺的用量为26～28％，所述异丙醇胺的用量为21～23％。

根据本发明的另一方面，提供了POLY-270剥离清洗液的制备方法，上述二乙醇丁醚的用量为0.5％。

根据本发明的另一方面，提供了POLY-270剥离清洗液的制备方法，上述儿茶酚的用量为10％，所述羟胺的用量为20％。

根据本发明的还有一些方面，提供了POLY-270剥离清洗液，POLY-270剥离清洗液成分包括：碱性试剂、有机溶剂、儿茶酚、羟胺和水。