[发明专利]一种全自动扩晶机在审
申请号: | 201811603239.2 | 申请日: | 2018-12-26 |
公开(公告)号: | CN109920746A | 公开(公告)日: | 2019-06-21 |
发明(设计)人: | 王江 | 申请(专利权)人: | 广东欧美亚智能装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L33/00 |
代理公司: | 东莞市神州众达专利商标事务所(普通合伙) 44251 | 代理人: | 刘汉民 |
地址: | 523000 广东省东莞市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 上料装置 扩晶装置 蓝膜 内圈 上料机械手 撕纸装置 下料机械手 控制系统 电性连接 晶机 人力成本 生产效率 撕膜装置 下料装置 自动上料 自动下料 防尘纸 废膜 生产 | ||
1.一种全自动扩晶机,其特征在于:包括蓝膜上料机械手、撕纸装置、外圈上料装置、内圈上料装置、扩晶装置、下料机械手、控制系统,所述撕纸装置设于扩晶装置的前方,所述蓝膜上料机械手设于撕纸装置的上方,所述内圈上料装置、外圈上料装置设于扩晶装置的一侧,所述下料装置设于扩晶装置的后方,所述蓝膜上料机械手、撕膜装置、外圈上料装置、内圈上料装置、扩晶装置、下料机械手均与控制系统电性连接;
所述扩晶装置包括底板、压膜组件、扩晶盘、扩晶水平驱动模组、扩晶竖直驱动模组、压圈盘、压圈驱动件、熔膜环,所述压膜组件设于底板上方并向底板压合,所述底板的中心开设有扩晶口,所述扩晶盘设于扩晶口的下方,扩晶盘的顶端沿圆周边缘设有用于固定内圈的阶梯结构,扩晶盘内设有发热管,所述扩晶竖直驱动模组与扩晶盘驱动连接并驱动扩晶盘沿竖直移动,所述扩晶水平驱动模组与扩晶竖直驱动模组驱动连接并驱动扩晶竖直驱动模组沿水平移动,所述压圈盘设于扩晶口的上方,压圈盘的底面设有用于固定外圈的固定件,所述压圈驱动件与压圈盘驱动连接并驱动压圈盘沿竖直移动,所述熔膜环设于扩晶口的正下方,所述熔膜环内设有发热管,所述压圈盘的直径、熔膜环的内径均与外圈的外径相同,所述底板的一侧还设有夹膜机械手。
2.根据权利要求1所述的一种全自动扩晶机,其特征在于:还包括贴标装置,贴标装置与控制系统电性连接,所述贴标装置设于扩晶装置和下料装置之间,贴标装置包括贴标打印机和贴标机械手,所述贴标机械手包括贴标水平驱动模组、贴标竖直驱动模组、贴标头,所述贴标水平驱动模组与贴标竖直驱动模组驱动连接并驱动贴标竖直驱动模组沿水平移动,所述贴标竖直驱动模组与贴标头驱动连接并驱动贴标头沿竖直移动,所述贴标头的底面开设有吸气孔,吸气孔连通气泵。
3.根据权利要求1所述的一种全自动扩晶机,其特征在于:所述夹膜机械手包括夹膜水平驱动模组、夹膜旋转气缸、夹膜气缸、夹膜块,所述夹膜块相对设置,所述夹膜气缸与夹膜块驱动连接并驱动夹膜块相互贴合,所述夹膜旋转气缸与夹膜气缸驱动连接并驱动夹膜气缸带动夹膜块转动,所述夹膜水平驱动模组与夹膜旋转气缸驱动连接并驱动夹膜旋转气缸沿水平移动。
4.根据权利要求1所述的一种全自动扩晶机,其特征在于:所述扩晶装置还包括扩晶导向组件,所述扩晶导向组件包括若干导向块、控制环、开合驱动件,所述若干导向块设于扩晶口和熔膜环之间,且若干导向块接合形成与外圈对应的圆环,所述导向块的外侧面设有凸块,所述控制环围于导向块的外侧,且控制环的内侧面设有与凸块对应的凹槽,所述导向块设有延伸至熔膜环外侧的连接杆,连接杆与熔膜环滑动连接,连接杆的末端设有压块,压块和熔膜环之间压接有弹簧,开合驱动件与控制环驱动连接并驱动控制环转动,凸块通过弹簧与凹槽对合,使导向块向控制环贴合。
5.根据权利要求1所述的一种全自动扩晶机,其特征在于:撕纸装置包括吸料平台、撕纸机械手、撕纸竖直驱动模组、撕纸水平驱动模组、定位块、定位驱动件,所述吸料平台上设有吸料孔,所述吸料孔连通吸气泵,所述撕纸机械手设于吸料平台的上方,所述撕纸机械手包括夹纸块、夹纸气缸、撕纸旋转气缸,所述夹纸气缸与夹纸块驱动连接并驱动夹纸块相互贴合,所述撕纸旋转气缸与夹纸气缸驱动连接并驱动夹纸气缸带动夹纸块转动,所述撕纸竖直驱动模组与撕纸旋转气缸驱动连接并驱动撕纸旋转气缸沿竖直移动,所述撕纸水平驱动模组与撕纸竖直驱动模组驱动连接并驱动撕纸竖直驱动模组沿水平移动,所述定位块设于吸料平台的上方,所述定位驱动件与定位块驱动连接并驱动定位块向吸料平台抵压。
6.根据权利要求1所述的一种全自动扩晶机,其特征在于:所述外圈上料装置包括外圈上料架、若干外圈限位柱、外圈上料模组、外圈上料推块,所述外圈上料推块水平设于外圈上料架上,所述外圈上料模组设于外圈上料架上并与外圈上料推块驱动连接,外圈上料模组驱动外圈上料推块水平移动,所述若干外圈限位柱依外圈的形状布设于外圈上料推块的上方,且外圈限位柱的底面与外圈上料推块的表面齐平,所述外圈上料推块的一侧设有上料凹位,且上料凹位的厚度与单个外圈的厚度相同。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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