[发明专利]用于形成图案的方法和使用该方法制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种用于形成图案的方法，包括：

在衬底上形成初步图案，该初步图案具有板部分和从所述板部分的端部突出的多个焊盘部分；

形成第一硬掩模图案，该第一硬掩模图案包括覆盖所述焊盘部分的阻挡部分和部分覆盖所述板部分的多个线部分；

在所述线部分的每一个线部分的侧壁上形成间隔物；

形成第二硬掩模图案，所述第二硬掩模图案填充所述线部分之间的空间从而接触所述间隔物；

通过去除所述间隔物来形成暴露所述第一硬掩模图案和所述第二硬掩模图案之间的所述板部分的开口；以及

通过经由所述开口对所述板部分的被暴露部分进行蚀刻来形成分别耦接至所述焊盘部分的多个线图案部分，

其中，在形成所述第一硬掩模图案的过程中，

所述线部分沿第一方向延伸，并且所述阻挡部分沿与所述第一方向相交的第二方向延伸，以及

所述线部分从所述阻挡部分突出以形成梳形图案。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，在形成所述初步图案的过程中包括：

在所述衬底上形成蚀刻目标层；

在所述蚀刻目标层上形成蚀刻掩模层，该蚀刻掩模层包括对应于所述焊盘部分的焊盘限定部分和对应于所述板部分的板限定部分；以及

通过使用所述蚀刻掩模层对所述蚀刻目标层进行蚀刻来形成所述初步图案。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第一硬掩模图案包括：

在所述初步图案上形成硬掩模图案；

在所述硬掩模图案上形成掩模图案，该掩模图案包括对应于所述阻挡部分的主体部分和对应于所述线部分的线限定部分；以及

通过使用所述掩模图案对所述硬掩模图案进行蚀刻来形成所述第一硬掩模图案。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，在形成所述掩模图案的过程中包括：

所述线限定部分沿所述第一方向延伸，并且所述主体部分沿与所述第一方向相交的所述第二方向延伸，以及

多个线限定部分从所述主体部分突出，以形成梳形图案。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，将所述间隔物形成为具有比所述第一硬掩模图案的线部分的宽度窄的宽度。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一硬掩模图案和所述第二硬掩模图案位于相同的水平。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一硬掩模图案和所述第二硬掩模图案由相同的材料形成。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第一硬掩模图案包括：

在所述阻挡部分和所述线部分之间形成处于倒圆形状的耦接部分，以及

所述倒圆形状使得所述阻挡部分部分地覆盖所述焊盘部分。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第一硬掩模图案包括：

在所述阻挡部分和所述线部分之间形成处于正交形状的耦接部分，以及

其中，所述正交形状使所述阻挡部分完全覆盖所述焊盘部分。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第二硬掩模图案包括：

在所述第一硬掩模图案和所述间隔物上形成填充所述线部分之间的空间的硬掩模层；以及

选择性地去除所述硬掩模图案，以形成保留在所述线部分之间的所述第二硬掩模图案。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述线图案部分包括位线，并且所述焊盘部分包括耦接到所述位线的端部的位线焊盘部分。

12.根据权利要求1所述的方法，其中在形成所述初步图案的过程中，

所述初步图案包括板状的板部分、从所述板部分的相对端部突出的多个第一焊盘部分、以及多个第二焊盘部分。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述第一焊盘部分和所述第二焊盘部分排列成不在同一直线上。