[发明专利]封装方法

权利要求书

1.一种封装方法，其在于，包括:

提供待封装结构，所述待封装结构包括多个固定放置的芯片，所述芯片具有正面和与所述正面相对的背面，且所述正面暴露出所述芯片内的电连接结构表面，其中，所述待封装结构包括多个再布线区，且所述再布线区在所述芯片正面的正投影图形与所述电连接结构在所述芯片正面的正投影图形具有重合部分；

形成所述待封装结构的步骤包括：提供基板；将所述多个芯片键合于所述基板上；进行选择性喷涂处理，向所述再布线区喷洒导电胶，并对所述再布线区的导电胶进行固化处理，形成多个再布线层，且每一再布线层对应与至少一芯片的电连接结构电连接；

形成所述再布线层之后，在所述基板上的多个芯片之间形成覆盖所述多个芯片侧壁的塑封层，所述塑封层还覆盖再布线层。

2.如权利要求1所述封装方法，其特征在于，进行所述选择性喷涂处理的方法包括：

提供可移动的喷头；

采用所述喷头在所述待封装结构上方移动，当所述喷头移动经过所述再布线区上方时，所述喷头向所述再布线区喷洒所述导电胶。

3.如权利要求2所述封装方法，其特征在于，所述喷头移动经过同一再布线区上方至少两次，以形成所述再布线层；所述喷头前一次经过所述再布线区时的移动路径具有第一方向，所述喷头后一次经过同一再布线区时的移动路径具有第二方向，所述第二方向与第一方向不同。

4.如权利要求1所述封装方法，其特征在于，在所述选择性喷涂处理结束后，进行所述固化处理；在进行所述固化处理之前，还包括：在进行所述选择性喷涂处理过程中，对位于所述再布线区的导电胶进行加热处理，且所述加热处理的工艺温度低于所述固化处理的工艺温度。

5.如权利要求4所述封装方法，其特征在于，所述加热处理的工艺温度为20℃～120℃；所述固化处理的工艺温度为140℃～160℃。

6.如权利要求2或3所述封装方法，其特征在于，所述多个再布线区呈沿X方向和Y方向的阵列式分布，且所述再布线区具有长边和短边，所述长边延伸方向与所述X方向一致；所述喷头的移动路径具有的方向包括：+X方向和-X方向。

7.如权利要求1所述封装方法，其特征在于，形成所述待封装结构的步骤中，将所述芯片的背面键合于所述基板上；在形成所述再布线层的步骤中，在所述芯片正面形成所述再布线层。

8.如权利要求1所述封装方法，其特征在于，形成所述待封装结构的步骤中，将所述芯片的正面键合于所述基板上，且所述芯片内具有贯穿所述芯片的导电插塞，且所述导电插塞与所述电连接结构相连；在形成所述再布线层的步骤中，在所述芯片背面形成所述再布线层，且所述再布线层与所述导电插塞相接触。

9.如权利要求1所述封装方法，其特征在于，所述封装方法应用于晶圆级封装、系统级封装、晶圆级系统封装或者3D封装中。