[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，包括至少一个器件单元区，每一个所述器件单元区适于形成有源器件；

在每一个所述器件单元区中，在所述基底内形成阱区；

在每一个所述器件单元区中，在所述阱区内形成至少两个相隔离的掺杂区；

在每一个所述器件单元区中，在所述阱区内形成至少一个体接触区，所述体接触区的掺杂类型和所述阱区的掺杂类型相同；

其中，形成所述掺杂区和体接触区后，所述体接触区位于所述掺杂区内，所述体接触区被所述掺杂区包围，所述体接触区通过相对应的掺杂区与其他掺杂区相隔离，且所述体接触区底部与所述阱区相接触。

2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述有源器件为MOS晶体管；

形成所述阱区后，形成所述掺杂区之前，还包括：在所述阱区对应的基底上形成栅极结构；

在所述栅极结构两侧的所述阱区内形成所述掺杂区，用于作为源漏掺杂区，所述掺杂区的掺杂类型和所述阱区的掺杂类型相反；至少在所述栅极结构的一侧形成所述体接触区。

3.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述有源器件为二极管；一个所述掺杂区的掺杂类型和所述阱区的掺杂类型相同，另一个所述掺杂区的掺杂类型和所述阱区的掺杂类型相反；

在所述两个掺杂区中的任一个或两个中形成所述体接触区。

4.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在形成所述掺杂区之后，形成所述体接触区；

或者，在形成所述体接触区之后，形成所述掺杂区。

5.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成所述掺杂区和体接触区的步骤包括：对所述阱区进行第一掺杂处理，在所述阱区内形成所述掺杂区；

对部分区域的所述掺杂区进行第二掺杂处理，在所述掺杂区中形成所述体接触区，所述第二掺杂处理的离子掺杂浓度大于所述第一掺杂处理的离子掺杂浓度，所述第二掺杂处理的掺杂深度大于或等于所述第一掺杂处理的掺杂深度。

6.如权利要求5所述的形成方法，其特征在于，所述第二掺杂处理的工艺为离子注入工艺，所述第二掺杂处理的注入能量为30KeV至100KeV。

7.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成所述掺杂区和体接触区的步骤包括：对所述阱区进行第一掺杂处理，在所述阱区内形成所述掺杂区，所述掺杂区在所述基底上的投影为环形；对所述环形围成的阱区进行第二掺杂处理，在所述阱区内形成所述体接触区；

或者，对所述阱区进行第一掺杂处理，在所述阱区内形成所述体接触区；对所述体接触区周围的阱区进行第二掺杂处理，在所述阱区内形成环绕所述体接触区且与所述体接触区相接触的所述掺杂区。

8.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成所述掺杂区和体接触区后，所述体接触区顶面和所述掺杂区顶面相齐平。

9.如权利要求1、2、3或5所述的形成方法，其特征在于，形成所述掺杂区之后，形成所述体接触区之前，还包括：在所述基底上形成层间介质层；在所述层间介质层内形成导电通孔，所述导电通孔露出对应的所述掺杂区；

对部分所述导电通孔露出的掺杂区进行掺杂处理，在所述掺杂区中形成所述体接触区；

形成所述体接触区之后，还包括：在所述导电通孔内形成导电结构。

10.如权利要求9所述的形成方法，其特征在于，形成所述体接触区的步骤包括：在所述层间介质层上形成掩膜层，所述掩膜层内形成有掩膜开口，所述掩膜开口露出部分所述导电通孔和部分层间介质层；

以所述掩膜层为掩膜进行所述掺杂处理；

形成所述体接触区之后，还包括：去除所述掩膜层。