[发明专利]扇入型晶圆级封装方法

权利要求书

1.一种扇入型晶圆级封装方法，其特征在于，包括：

提供晶圆，所述晶圆表面形成有多个分立的芯片，所述芯片内形成有电连接结构，且所述芯片顶面暴露出所述电连接结构表面，相邻芯片与所述晶圆表面之间围成塑封区；

进行选择性喷涂处理，向所述塑封区喷洒塑封料，且对位于所述塑封区的塑封料进行固化处理，形成覆盖所述晶圆和所述芯片侧壁的塑封层；所述塑封层暴露出芯片顶面和电连接结构；所述选择性喷涂处理的方法包括：提供喷头；所述喷头移动经过同一塑封区上方至少两次，以形成所述塑封层；

在所述芯片顶面形成与所述电连接结构电连接的再布线结构。

2.如权利要求1所述扇入型晶圆级封装方法，其特征在于，进行所述选择性喷涂处理的方法包括：提供可移动的喷头；采用所述喷头在所述晶圆上方移动，当所述喷头移动经过所述塑封区上方时，所述喷头向所述塑封区喷洒塑封料。

3.如权利要求2所述扇入型晶圆级封装方法，其特征在于，所述喷头前一次移动经过所述塑封区上方时的移动路径为第一方向，所述喷头后一次移动经过同一塑封区上方时的移动路径为第二方向，所述第二方向与第一方向不同。

4.如权利要求2或3所述扇入型晶圆级封装方法，其特征在于，所述芯片在所述晶圆表面呈沿X方向和Y方向的阵列式分布，所述阵列式分布的芯片与晶圆表面之间围成若干行塑封区和若干列塑封区；所述喷头的移动路径包括：+X方向、-X方向、+Y方向或者-Y方向中的一种或多种。

5.如权利要求4所扇入型晶圆级封装方法，其特征在于，所述喷头的移动路径还包括：与X方向呈45°的倾斜方向或者与Y方向呈45°的倾斜方向。

6.如权利要求1或2所述扇入型晶圆级封装方法，其特征在于，在进行所述选择性喷涂处理之前，获取所述晶圆上的塑封区的位置信息；基于获取的所述位置信息，进行所述选择性喷涂处理。

7.如权利要求6所述扇入型晶圆级封装方法，其特征在于，获取所述晶圆上的塑封区的位置信息的方法包括：基于预设位置信息在所述晶圆上制作芯片，将所述预设位置信息作为所述晶圆上的塑封区的位置信息；或者，在所述晶圆上制作芯片后，对所述晶圆表面进行光照射，采集经晶圆表面反射的光信息，获取所述塑封区的位置信息。

8.如权利要求6所述扇入型晶圆级封装方法，其特征在于，基于获取的所述位置信息，进行所述选择性喷涂处理的方法包括：所述喷头在所述晶圆上方移动的同时，即时获取所述喷头在所述晶圆上的实时位置；基于所述实时位置和获取的位置信息，控制所述喷头在所述晶圆上移动的过程中向所述塑封区喷洒塑封料。

9.如权利要求2所述扇入型晶圆级封装方法，其特征在于，所述喷头向所述塑封区喷洒塑封料的方法包括：所述塑封区具有相对的第一边界和第二边界，所述第一边界指向第二边界的方向与喷头移动方向一致，当所述喷头移动经过第一边界且距离第一边界第一距离时，所述喷头开始喷洒塑封料；当所述喷头移动至距离第二边界第二距离且未超过第二边界时，所述喷头结束喷洒塑封料。

10.如权利要求9所述扇入型晶圆级封装方法，其特征在于，所述第一距离范围为0～30mm；所述第二距离范围为5mm～30mm。

11.如权利要求2所述扇入型晶圆级封装方法，其特征在于，所述喷头与所述晶圆表面的垂直距离为5mm～30mm。

12.如权利要求1所述扇入型晶圆级封装方法，其特征在于，在所述选择性喷涂处理结束后，进行所述固化处理。

13.如权利要求12所述扇入型晶圆级封装方法，其特征在于，在进行所述固化处理之前，还包括，在进行所述选择性喷涂处理过程中，对位于所述塑封区的塑封料进行加热处理，且所述加热处理的工艺温度低于所述固化处理的工艺温度。