[发明专利]芯片的晶圆级封装方法和封装体

权利要求书

1.一种芯片的晶圆级封装方法，其特征在于，所述芯片的晶圆级封装方法包括以下步骤：

在晶圆的上表面开设切割槽；

在晶圆的上表面和切割槽中覆设第一保护层；

在第一保护层中形成与芯片电性连接的导电凸块；

研磨芯片的下表面，形成接触面；

在接触面上覆设第二保护层；

切割晶圆，获得多个包含有芯片的封装体。

2.如权利要求1所述的芯片的晶圆级封装方法，其特征在于，所述切割槽位于晶圆上的相邻两个芯片之间。

3.如权利要求1所述的芯片的晶圆级封装方法，其特征在于，所述切割晶圆是在所述切割槽的位置进行切割。

4.如权利要求1所述的芯片的晶圆级封装方法，其特征在于，所述在第一保护层中形成与芯片电性连接的导电凸块，包括：

在芯片的功能区位置的第一保护层的上表面开设容纳槽，所述容纳槽贯穿所述第一保护层；

在容纳槽中形成导电凸块，导电凸块电连接于芯片的功能区；

所述在芯片的功能区位置的第一保护层的上表面开设容纳槽，采用激光开槽；

所述在容纳槽中形成导电凸块，采用植球工艺和回流焊工艺。

5.如权利要求1所述的芯片的晶圆级封装方法，其特征在于，所述研磨芯片的下表面，使位于所述切割槽中的第一保护层露出并与所述芯片的下表面形成所述接触面。

6.如权利要求1所述的芯片的晶圆级封装方法，其特征在于，所述第一保护层和/或所述第二保护层为树脂材料；

所述第一保护层为透明材料。

7.如权利要求6所述的芯片的晶圆级封装方法，其特征在于，所述在晶圆的上表面和切割槽中覆设第一保护层，采用热压成型的方式。

8.一种封装体，其特征在于，所述封装体包括：

芯片；

第一保护层，包覆所述芯片的上表面和侧表面，其上设有容纳槽贯穿所述第一保护层，并且延伸至所述芯片的功能区；

第二保护层，覆设于所述芯片的下表面；

导电凸块，设于所述容纳槽，并与所述芯片的功能区电性连接。

9.如权利要求8所述的封装体，其特征在于，所述第一保护层包括紧密连接的第一部分和第二部分；所述第一部分覆设于所述芯片的上表面，所述第二部分贴合于所述芯片的侧表面；

所述第二部分的下表面与所述芯片的下表面相平齐，并且贴合于所述第二保护层的上表面。

10.如权利要求8所述的封装体，其特征在于，所述导电凸块远离所述芯片的一端伸出所述容纳槽。