[发明专利]芯片的晶圆级封装方法和封装体

说明书

本发明公开了一种芯片的晶圆级封装方法和封装体。所述芯片的晶圆级封装方法包括以下步骤：在晶圆的上表面开设切割槽；在晶圆的上表面和切割槽中覆设第一保护层；在第一保护层中形成与芯片电性连接的导电凸块；研磨芯片的下表面，形成接触面；在接触面上覆设第二保护层；切割晶圆，获得多个包含有芯片的封装体。通过设置第一保护层、第二保护层，将芯片全面包封，隔离了芯片与外界的接触，提高了芯片的超敏等级。

技术领域

本申请涉及技术领域，尤其涉及一种芯片的晶圆级封装方法和封装体。

背景技术

在现有技术中，芯片的封装方法通常为在芯片上表面铺设钝化层，在钝化层开设凹槽，并在凹槽中进行植珠，之后对其进行塑封研磨，包括研磨芯片正面的塑封材料和芯片的背面，从而使得整体结构的厚度减薄。在此过程中，钝化层与芯片的之间容易出现间隙，从而导致整体结构的密封性差，芯片的功能区容易暴露并与外界进行接触，使得芯片超敏等级低下，不易于器件的保存。

发明内容

本发明实施例提供了一种芯片的晶圆级封装方法和封装体，所述芯片的晶圆级封装方法和封装体可实现芯片与外界的隔离。

根据本发明实施例的第一方面，提供一种芯片的晶圆级封装方法，所述芯片的晶圆级封装方法包括以下步骤：

在晶圆的上表面开设切割槽；

在晶圆的上表面和切割槽中覆设第一保护层；

在第一保护层中形成与芯片电性连接的导电凸块；

研磨芯片的下表面，形成接触面；

在接触面上覆设第二保护层；

切割晶圆，获得多个包含有芯片的封装体。

较佳地，所述切割槽位于晶圆上的相邻两个芯片之间。

较佳地，所述切割晶圆是在所述切割槽的位置进行切割。

较佳地，所述在第一保护层中形成与芯片电性连接的导电凸块，包括：

在芯片的功能区位置的第一保护层的上表面开设容纳槽，所述容纳槽贯穿所述第一保护层；

在容纳槽中形成导电凸块，导电凸块电连接于芯片的功能区；

所述在芯片的功能区位置的第一保护层的上表面开设容纳槽，采用激光开槽；

所述在容纳槽中形成导电凸块，采用植球工艺和回流焊工艺。

较佳地，所述研磨芯片的下表面，使位于所述切割槽中的第一保护层露出并与所述芯片的下表面形成所述接触面。

较佳地，所述第一保护层和/或所述第二保护层为树脂材料；

所述第一保护层为透明材料。

较佳地，所述在晶圆的上表面和切割槽中覆设第一保护层，采用热压成型的方式。

根据本发明实施例的第二方面，提供一种封装体，所述封装体包括：

芯片；

第一保护层，包覆所述芯片的上表面和侧表面，其上设有容纳槽贯穿所述第一保护层，并且延伸至所述芯片的功能区；

第二保护层，覆设于所述芯片的下表面；

导电凸块，设于所述容纳槽，并与所述芯片的功能区电性连接。

较佳地，所述第一保护层包括紧密连接的第一部分和第二部分；所述第一部分覆设于所述芯片的上表面，所述第二部分贴合于所述芯片的侧表面；

所述第二部分的下表面与所述芯片的下表面相平齐，并且贴合于所述第二保护层的上表面。