[发明专利]显示面板及其制造方法有效
申请号: | 201811604674.7 | 申请日: | 2018-12-26 |
公开(公告)号: | CN109671734B | 公开(公告)日: | 2021-05-28 |
发明(设计)人: | 范振峰;张琬珩;王贤军;王雅榕;苏松宇 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/00;H01L33/46 |
代理公司: | 北京市立康律师事务所 11805 | 代理人: | 梁挥;孟超 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 及其 制造 方法 | ||
一种显示面板及其制造方法,显示面板,包括阵列基板、钝化层设置于阵列基板上、反射层设置于钝化层上、以及多个发光元件设置于阵列基板上。钝化层具有多个钝化层开口并暴露阵列基板。反射层具有多个第一开口。发光元件的顶面和反射层的顶面实质上位于同一水平面。一种显示面板的制造方法亦被提出。
技术领域
本发明涉及一种显示面板及其制造方法,且特别涉及一种具有反射层的发光二极管显示面板及其制造方法。
背景技术
发光二极管(light emitting diode;LED)具有诸如寿命长、体积小、高抗震性、低热产生及低功率消耗等优点,因此已被广泛应用于家用及各种设备中的指示器或光源。近年来,发光二极管已朝多色彩及高亮度发展,因此其应用领域已扩展至大型户外看板、交通号志灯及相关领域。在未来,发光二极管甚至可能成为兼具省电及环保功能的主要照明光源。
一般来说,发光二极管显示器是利用发光二极管晶粒激发光致发光材料(photoluminescence),以产生荧光(fluorescence)或磷光(phosphorescence)的激发光。然而,前述的激发光会往四面八方散射,因此容易产生漏光或是混光的问题,导致显示品质不佳。此外,目前通过转置技术来将发光二极管设置在主动阵列基板上的过程,容易出现对位不准,造成发光二极管的偏移(shift),进一步影响到发光二极管放置位置的精度,加剧漏光以及混光的问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种显示面板及其制造方法,其工艺简单且可减少漏光及混光的产生,增加出光效率,并提升显示品质。
本发明提供一种显示面板的制造方法,其包括以下步骤。提供承载基板。形成多个发光元件于承载基板上。形成反射层于承载基板上。提供阵列基板,将阵列基板设置于承载基板的对向。转移这些发光元件及反射层至阵列基板。移除承载基板。
在本发明的一实施例中,上述的显示面板的制造方法,更包括以下步骤。提供对向基板,其设置于阵列基板的对向。形成遮光层于对向基板上,且遮光层具有多个遮光开口。形成多个色光图案于这些遮光开口中。
本发明提供一种显示面板,其包括阵列基板、钝化层、反射层、以及多个发光元件。钝化层设置于阵列基板上,且钝化层具有多个钝化层开口并暴露阵列基板。反射层设置于钝化层上,且反射层具有多个第一开口。这些发光元件设置于阵列基板上。这些发光元件的顶面和反射层的顶面实质上位于同一水平面。
在本发明的一实施例中,上述的显示面板更包括对向基板和阵列基板相对设置。遮光层和多个色光图案设置于对向基板和阵列基板之间。遮光层具有多个遮光开口。这些色光图案设置于各遮光开口中,且各色光图案包括色光层及发光材料层。
基于上述,在本发明的显示面板及其制造方法中,由于发光元件对位设置于钝化层开口中,且钝化层开口对位于反射层的第一开口,因此反射层可以环绕发光元件。如此,发光元件所产生的光可以被集中,以减少漏光及混光的产生,并增加出光效率,以提升显示面板的显示品质。此外,由于发光元件与反射层同时形成于承载基板上,因此工艺简单,且同时转移至阵列基板上,因此可以避免制作及转移反射层所产生的公差。如此一来,可以减少发光元件与反射层之间的精度公差,还可省去在转移发光元件后进行反射层对位的步骤,以实现发光元件自动对位反射层。此外,显示面板更可以避免异常间距的产生,进一步减少漏光及混光的机率,并提升对位的精度。
以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述,但不作为对本发明的限定。
附图说明
图1A至图1I绘示为本发明一实施例中转移发光元件及反射层至阵列基板的流程的剖面示意图;
图2绘示为图1I的反射层的俯视示意图;
图3A至图3D绘示为本发明一实施例中形成遮光层及色光图案于对向基板的流程的剖面示意图;
图4A绘示为本发明一实施例的显示面板的剖面示意图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的