[发明专利]基底贴膜方法及封装方法

权利要求书

1.一种基底贴膜方法，其特征在于，包括：

提供一基底，所述基底表面形成有若干焊盘；

提供一黏贴膜，加热所述黏贴膜至预定温度；以及

将所述黏贴膜贴覆至所述基底形成有焊盘的表面，使所述黏贴膜与所述焊盘贴合。

2.根据权利要求1所述基底贴膜方法，其特征在于，所述黏贴膜的加热温度为20℃-60℃。

3.根据权利要求1所述基底贴膜方法，其特征在于，所述黏贴膜为DAF。

4.根据权利要求3所述基底贴膜方法，其特征在于，所述DAF包括：基底层、粘附层和释放层，所述粘附层设置在所述基底层和所述释放层之间。

5.根据权利要求4所述基底贴膜方法，其特征在于，从所述DAF中将所述释放层分离后，将所述基底层和粘附层贴覆至所述基底形成有焊盘的表面，所述粘附层与所述焊盘贴合。

6.根据权利要求5所述基底贴膜方法，其特征在于，对所述黏贴膜的加热方法包括：

引入气体并对气体加热；

将所述释放层从所述DAF中剥离；以及，

利用加热后的气体对所述粘附层进行吹扫加热。

7.根据权利要求6所述基底贴膜方法，其特征在于，通过对引入气体的气管进行加热以实现所述气体的加热。

8.根据权利要求6所述基底贴膜方法，其特征在于，所述气体的加热温度为30℃-70℃。

9.根据权利要求6所述基底贴膜方法，其特征在于，对所述粘附层进行加热以使所述粘附层软化且能够维持未固化状态。

10.根据权利要求6所述基底贴膜方法，其特征在于，所述粘附层的加热温度为20℃-60℃。

11.根据权利要求1至10中任一项所述基底贴膜方法，其特征在于，所述基底为晶圆，所述基底形成有焊盘的表面还形成有钝化层，所述钝化层覆盖所述基底形成有焊盘的表面并在所述焊盘上方形成有暴露所述焊盘的开口。

12.根据权利要求11所述基底贴膜方法，其特征在于，所述黏贴膜填充所述开口。

13.根据权利要求1至10中任一项所述基底贴膜方法，其特征在于，所述基底贴膜方法还包括，对所述基底进行加热。

14.根据权利要求13所述基底贴膜方法，其特征在于，对所述基底进行加热之前，对所述基底异于形成有焊盘的表面的一面进行减薄。

15.根据权利要求14所述基底贴膜方法，其特征在于，通过研磨、化学机械抛光、湿法刻蚀或干法刻蚀的方式对所述基底进行减薄。

16.根据权利要求14所述基底贴膜方法，其特征在于，所述基底减薄后的厚度为150μm-200μm。

17.根据权利要求1至10中任一项所述基底贴膜方法，其特征在于，将所述黏贴膜贴覆至所述基底形成有焊盘的表面后，通过紫外光照射对所述黏贴膜进行预固化。

18.一种封装方法，其特征在于，包括：

采用如权利要求1-17中任一项所述的基底贴膜方法，将黏贴膜贴覆至基底形成有焊盘的表面；

将所述贴覆有黏贴膜的基底切割成若干独立芯片；以及，

将所述芯片贴合至载体。

19.根据权利要求18所述封装方法，其特征在于，所述载体为印刷电路板、引线框或芯片。

20.根据权利要求18所述封装方法，其特征在于，所述封装方法为扇出型晶圆级封装方法。