[发明专利]基底贴膜方法及封装方法

说明书

本发明提供一种基底贴膜方法及封装方法，提供一黏贴膜，加热所述黏贴膜至预定温度后再将所述黏贴膜贴覆至基底形成有焊盘的表面，使所述黏贴膜与所述焊盘尽可能的完全贴合。本发明在黏贴膜贴覆至基底之前，对所述黏贴膜进行加热处理，使所述黏贴膜受热均匀，避免贴覆过程中在基底表面产生气泡，进而防止对后续的制程造成干扰，保证产品的可靠性。进一步的，与现有基底贴膜工艺相比，本发明中黏贴膜由间接加热变为直接加热，所述黏贴膜更易获得最佳的工艺温度，使得工艺控制更直观。

技术领域

本发明涉及封装技术领域，特别涉及一种基底贴膜方法及封装方法。

背景技术

随着电子产品多功能化和小型化的潮流，高密度微电子组装技术在新一代电子产品上逐渐成为主流。为了配合新一代电子产品的发展，尤其是智能手机、掌上电脑、超级本等产品的发展，芯片的尺寸向密度更高、速度更快、尺寸更小、成本更低等方向发展。随之，芯片的封装技术也经历了快速的发展。芯片的封装不但为芯片提供隔离周围环境的保护，更进一步为芯片提供一个连接界面。其中，扇出型晶圆级封装技术(Fan-out Wafer LevelPackage,FOWLP)是将性能完好的芯片嵌入至塑封材料或基体中，通过金属再分布线层(RDL)等金属连接方式实现芯片与其他器件的连接。扇出型晶圆级封装技术有效缩小了封装体的厚度和大小，能够兼容多种芯片的封装，成本更低，器件性能更高，成为现阶段封装工艺的热点。

最常见的也是最早出现的扇出型晶圆级封装技术是嵌入式晶圆级球栅阵列(Embedded Wafer Level Ball Grid Array，eWLB)方案，此方案将性能完好的芯片(Gooddie)重组且正面朝下(Face down)贴装在载体上(Carrier)上，整体进行塑封，重构晶圆，载体拆除后进行表面布线以及植球，最后切割成单个封装体，从而实现I/O(输入/输出)管脚扇出。在上述封装方案中，性能完好的芯片(Good die)重组之前需要在晶圆进行贴膜(Mounting)和切割(Sawing)工艺，其中，晶圆贴膜工艺是将在晶圆形成有焊盘的表面贴上一黏贴膜(通常称之为DAF或粘片膜)，该DAF作为晶圆切割的支撑结构和后续芯片切割(DieAttach，简称DA)工艺的连接膜。

常用的晶圆贴膜方法为：通过对载有晶圆的吸附平台进行加热，进而对晶圆进行加热以使其达到预定的工艺温度，然后将黏贴膜贴合至加热后的晶圆表面。然而，这种晶圆贴膜方法，晶圆表面容易形成气泡，给产品的可靠性性造成极大的风险。

发明内容

为解决上述问题，本发明提供一种基底贴膜方法，可减少甚至避免在晶圆表面形成气泡，提高产品的可靠性。

本发明提供一种基底贴膜方法，包括：

提供一基底，且所述基底表面形成有焊盘；

提供一黏贴膜，加热所述黏贴膜至预定温度；以及

将所述黏贴膜贴覆至所述基底形成有焊盘的表面，使所述黏贴膜与所述焊盘贴合。

可选的，所述黏贴膜的加热温度为20℃-60℃。

可选的，所述黏贴膜为DAF；

可选的，所述DAF包括：基底层、粘附层和释放层，所述粘附层设置在所述基底层和所述释放层之间。

可选的，从所述DAF中将所述释放层分离后，将所述基底层和粘附层贴覆至所述晶圆形成有焊盘的表面，所述粘附层与所述焊盘完全贴合。

可选的，对所述黏贴膜的加热方法包括：

引入气体并对气体加热；

将所述释放层从所述DAF中剥离；以及

利用加热后的气体对所述粘附层进行吹扫加热。

可选的，通过对引入气体的管路加热实现所述气体的加热。