[发明专利]一种应用于带隙基准电路的启动电路在审
| 申请号： | 201811605162.2 | 申请日： | 2018-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN109491447A | 公开（公告）日： | 2019-03-19 |
| 发明（设计）人： | 谢亮;王娜;张文杰;金湘亮 | 申请（专利权）人： | 湘潭芯力特电子科技有限公司 |
| 主分类号： | G05F3/24 | 分类号： | G05F3/24 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 411104 湖南省湘*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 带隙基准电路 启动电路 偏置电流产生电路 启动电路模块 应用 启动电压信号 静态功耗 偏置电流 偏置电压 芯片占用 稳定态 电容 关断 | ||
1.一种应用于带隙基准电路的启动电路，包括启动电路模块（I1）和带隙基准电路模块（I2），其特征在于：
所述启动电路模块（I1）外接一个输入使能信号IN，并产生启动电压信号VOUT接入带隙基准电路模块（I2），使所述带隙基准电路启动；所述带隙基准电路模块（I2）输出的偏置电压VP1、VP2接入启动电路模块（I1），使启动电路模块（I1）产生一路精准的偏置电流，促使启动电路模块（I1）关闭；
所述启动电路模块（I1）包括：由第一PMOS晶体管P1、第二PMOS晶体管P2、第一NMOS晶体管N1、第二NMOS晶体管N2和第三NMOS晶体管N3构成的偏置电流产生电路以及由第一电容C1、第二电容C2、第三PMOS晶体管P3、第四NMOS晶体管N4和第五NMOS晶体管N5构成的启动电路；其中，第一PMOS晶体管P1的源极接电源，栅极接偏置电压VP1，漏极接第二PMOS晶体管P2的源极；第二PMOS晶体管P2栅极接偏置电压VP2，漏极接第一NMOS管N1的漏极；第一NMOS管N1的栅极和漏极连接并接第二NMOS管N2的栅极、第三NMOS管N3的栅极、第四NMOS管N4的栅极以及第一电容C1的一端，源极接第二NMOS管的漏极；第二NMOS管N2的源极接第三NMOS管N3的漏极；第三NMOS管的源极接地；第一电容C1的另一端接地；第三PMOS管P3的源极接电源，栅极接输入信号IN,漏极接第四NMOS管N4的漏极和第五NMOS管N5的栅极；第四NMOS管N4的源极接地；第五NMOS管漏极接电源，源极接第二电容C2的一端并作为电压输出信号端VOUT；第二电容C2的另一端接地。
2.根据权利要求1所述的一种应用于带隙基准电路的启动电路，其特征在于，所述第三PMOS晶体管P3的宽长比采用倒宽长比的形式为L=20W。
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