[发明专利]一种应用于带隙基准电路的启动电路在审
申请号: | 201811605162.2 | 申请日: | 2018-12-26 |
公开(公告)号: | CN109491447A | 公开(公告)日: | 2019-03-19 |
发明(设计)人: | 谢亮;王娜;张文杰;金湘亮 | 申请(专利权)人: | 湘潭芯力特电子科技有限公司 |
主分类号: | G05F3/24 | 分类号: | G05F3/24 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 411104 湖南省湘*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 带隙基准电路 启动电路 偏置电流产生电路 启动电路模块 应用 启动电压信号 静态功耗 偏置电流 偏置电压 芯片占用 稳定态 电容 关断 | ||
本发明公开一种应用于带隙基准电路的启动电路,包括启动电路模块和带隙基准电路模块,其中启动电路模块由偏置电流产生电路和启动电路构成;所述启动电路用于产生启动电压信号使带隙基准电路工作在稳定态;所述偏置电流产生电路用于产生偏置电流将启动电路关闭。其中偏置电流产生电路的偏置电压是由启动完成后的带隙基准电路提供的。本发明公开的一种应用于带隙基准电路的启动电路,仅采用MOS管和电容两类器件,具有以下优点:可靠性高、器件少、结构简单、芯片占用面积小,且带隙基准电路启动完成后可自行关断,静态功耗极低。
技术领域
本发明属于半导体集成电路技术领域,具体涉及一种应用于带隙基准电路的启动电路。
背景技术
在自偏置的电压源、自偏置的电流源以及带隙基准源等电路中都有一个很重要的问题“简并”偏置点的存在,在这种情况下,所有的晶体管均传输零电流,因为环路支路允许零电流,故电路可以无限期地保持关断。在上述电路中加入启动电路,则可以驱使电路摆脱简并偏置点。
在现有的启动电路中,存在电路结构复杂、芯片占用面积大、功耗损耗大等问题,随着芯片的集成面积做得越来越小,对功耗的要求越来越高,因此设计出一种结构简单、功耗低的启动电路变得尤为重要。
发明内容
针对现有启动电路结构复杂、芯片占用面积大、功耗损耗大的问题,本发明提供了一种结构简单、芯片占用面积小、静态功耗极低的应用于带隙基准电路的启动电路。
本发明的技术方案如下:
一种应用于带隙基准电路的启动电路,包括启动电路模块和带隙基准电路模块,所述启动电路模块外接一个输入使能信号IN,并产生启动电压信号VOUT接入带隙基准电路模块,使所述带隙基准电路启动;所述带隙基准电路模块输出的偏置电压VP1、VP2接入启动电路模块,使启动电路模块产生一路精准的偏置电流,促使启动电路模块关闭;
所述启动电路模块包括:由第一PMOS晶体管P1、第二PMOS晶体管P2、第一NMOS晶体管N1、第二NMOS晶体管N2和第三NMOS晶体管N3构成的偏置电流产生电路以及由第一电容C1、第二电容C2、第三PMOS晶体管P3、第四NMOS晶体管N4和第五NMOS晶体管N5构成的启动电路;其中,第一PMOS晶体管P1的源极接电源,栅极接偏置电压VP1,漏极接第二PMOS晶体管P2的源极;第二PMOS晶体管P2栅极接偏置电压VP2,漏极接第一NMOS管N1的漏极;第一NMOS管N1的栅极和漏极连接并接第二NMOS管N2的栅极、第三NMOS管N3的栅极、第四NMOS管N4的栅极以及第一电容C1的一端,源极接第二NMOS管的漏极;第二NMOS管N2的源极接第三NMOS管N3的漏极;第三NMOS管的源极接地;第一电容C1的另一端接地;第三PMOS管P3的源极接电源,栅极接输入信号IN,漏极接第四NMOS管N4的漏极和第五NMOS管N5的栅极;第四NMOS管N4的源极接地;第五NMOS管漏极接电源,源极接第二电容C2的一端并作为电压输出信号端VOUT;第二电容C2的另一端接地。
进一步地,所述第三PMOS晶体管P3的宽长比采用倒宽长比的形式为L=20W。
本发明的一种应用于带隙基准电路的启动电路,仅采用MOS管和电容两类器件,器件少、结构简单、芯片占用面积小、可靠性高,且带隙基准电路启动完成后可自行关断,静态功耗极低。
附图说明
图1是本发明实施方案提供的应用于带隙基准电路的启动电路结构示意图;
图2是本发明实施方案提供的启动电路模块电路结构示意图。
具体实施方式
现在结合附图以及具体实施例对本发明进一步详细说明。
参见图1,为本发明的应用于带隙基准电路的启动电路结构示意图,包括启动电路模块I1和带隙基准电路模块I2。
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