[发明专利]一种参考电压产生电路和NAND芯片有效
申请号: | 201811605341.6 | 申请日: | 2018-12-26 |
公开(公告)号: | CN111367341B | 公开(公告)日: | 2022-07-01 |
发明(设计)人: | 邵力;陈厚霖 | 申请(专利权)人: | 北京兆易创新科技股份有限公司;西安格易安创集成电路有限公司 |
主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆 |
地址: | 100083 北京市海淀*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 参考 电压 产生 电路 nand 芯片 | ||
1.一种参考电压产生电路,其特征在于,包括:
分压支路,包括第一控制端、第二控制端、第一电压端、第二电压端和第一参考电压输出端,所述第一控制端与第一控制信号线电连接,所述第二控制端与第二控制信号线电连接,所述第一电压端与第一电源电压线电连接,所述第二电压端与第二电源电压线电连接,所述第一参考电压输出端与参考电压线电连接;
电压维持支路,包括第三电压端、第四电压端和第二参考电压输出端,所述第三电压端与所述第一电源电压线电连接,所述第四电压端与所述第二电源电压线电连接,所述第二参考电压输出端与所述参考电压线电连接,所述电压维持支路用于维持所述参考电压线上的电压;
所述电压维持支路还包括:
第一晶体管,所述第一晶体管的第一端与所述第三电压端电连接,第二端和控制端均与所述第二参考电压输出端电连接;
第二晶体管,所述第二晶体管的第一端与所述第二参考电压输出端电连接,第二端和控制端均与所述第四电压端电连接;
通过调节所述第一晶体管和所述第二晶体管的宽长比,调节电压维持支路的静态电流。
2.根据权利要求1所述的参考电压产生电路,其特征在于,
所述第一晶体管还包括衬底端,所述第一晶体管的衬底端与第二端电连接;
所述第二晶体管还包括衬底端,所述第二晶体管的衬底端与第二端电连接。
3.根据权利要求1所述的参考电压产生电路,其特征在于,所述分压支路还包括:
分压单元,所述分压单元的输出端与所述第一参考电压输出端电连接;
第一控制单元,所述第一控制单元的控制端与所述第一控制端电连接,第一端与所述第一电压端电连接,第二端与所述分压单元的第一端电连接;
第二控制单元,所述第二控制单元的控制端与所述第二控制端电连接,第一端与所述分压单元的第二端电连接,第二端与所述第二电压端电连接。
4.根据权利要求3所述的参考电压产生电路,其特征在于,所述分压单元还包括:
第三晶体管,所述第三晶体管的第一端与所述分压单元的第一端电连接,控制端和第二端均与所述分压单元的输出端电连接;
第四晶体管,所述第四晶体管的第一端与所述分压单元的输出端电连接,控制端和第二端均与所述分压单元的第二端电连接。
5.根据权利要求3所述的参考电压产生电路,其特征在于,所述分压单元还包括:
第一电阻,所述第一电阻串联连接于所述分压单元的第一端和输出端之间;
第二电阻,所述第二电阻串联连接于所述分压单元的输出端和第二端之间。
6.根据权利要求3所述的参考电压产生电路,其特征在于,
所述第一控制单元还包括第五晶体管,所述第五晶体管的控制端与所述第一控制单元的控制端电连接,第一端与所述第一控制单元的第一端电连接,第二端与所述第一控制单元的第二端电连接;
所述第二控制单元还包括第六晶体管,所述第六晶体管的控制端与所述第二控制单元的控制端电连接,第一端与所述第二控制单元的第一端电连接,第二端与所述第二控制单元的第二端电连接。
7.根据权利要求6所述的参考电压产生电路,其特征在于,
所述第一控制信号线上的电平与所述第二控制信号线上的电平相反;
所述第五晶体管为P型晶体管,所述第六晶体管为N型晶体管。
8.一种NAND芯片,其特征在于,包括:
如权利要求1-7任一项所述的参考电压产生电路;
接收器,包括第一输入端和第二输入端,所述第一输入端与输入信号线电连接,所述第二输入端与所述参考电压产生电路的参考电压线电连接。
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