[发明专利]一种参考电压产生电路和NAND芯片

说明书

本发明公开了一种参考电压产生电路和NAND芯片。该参考电压产生电路包括：分压支路和电压维持支路，分压支路的第一控制端与第一控制信号线电连接，第二控制端与第二控制信号线电连接，第一电压端与第一电源电压线电连接，第二电压端与第二电源电压线电连接，第一参考电压输出端与参考电压线电连接；电压维持支路的第三电压端与第一电源电压线电连接，第四电压端与第二电源电压线电连接，第二参考电压输出端与参考电压线电连接，电压维持支路用于维持参考电压线上的电压。本发明减少了参考电压的建立时间，加快了参考电压产生电路的响应时间，具有较强的驱动能力。

技术领域

本发明实施例涉及电路技术领域，尤其涉及一种参考电压产生电路和NAND芯片。

背景技术

随着NAND接口速度越来越快，NV-DDR2和NV-DDR3标准开始应用于NAND存储器。在NV-DDR2和NV-DDR3标准中，为了支持高速数据传输，需要NAND存储系统给NAND芯片提供一个接口参考电压作为NAND芯片接收器的参考电压。

其中，部分NAND存储系统不能提供接口参考电压，为了NAND芯片内部的接收器能正常接收高速数据，需要NAND芯片内部设置参考电压产生电路，用于产生接口参考电压。然而，现有的参考电压产生电路在建立参考电压时，需要从较低的电压开始建立，导致现有技术存在参考电压的建立时间长的问题。

发明内容

本发明提供一种参考电压产生电路和NAND芯片，以减少参考电压的建立时间。

第一方面，本发明实施例提供了一种参考电压产生电路，该参考电压产生电路包括：

分压支路，包括第一控制端、第二控制端、第一电压端、第二电压端和第一参考电压输出端，所述第一控制端与第一控制信号线电连接，所述第二控制端与第二控制信号线电连接，所述第一电压端与第一电源电压线电连接，所述第二电压端与第二电源电压线电连接，所述第一参考电压输出端与参考电压线电连接；

电压维持支路，包括第三电压端、第四电压端和第二参考电压输出端，所述第三电压端与所述第一电源电压线电连接，所述第四电压端与所述第二电源电压线电连接，所述第二参考电压输出端与所述参考电压线电连接，所述电压维持支路用于维持所述参考电压线上的电压。

可选地，所述电压维持支路还包括：

第一晶体管，所述第一晶体管的第一端与所述第三电压端电连接，第二端和控制端均与所述第二参考电压输出端电连接；

第二晶体管，所述第二晶体管的第一端与所述第二参考电压输出端电连接，第二端和控制端均与所述第四电压端电连接。

可选地，所述第一晶体管还包括衬底端，所述第一晶体管的衬底端与第二端电连接；

所述第二晶体管还包括衬底端，所述第二晶体管的衬底端与第二端电连接。

可选地，所述分压支路还包括：

分压单元，所述分压单元的输出端与所述第一参考电压输出端电连接；

第一控制单元，所述第一控制单元的控制端与所述第一控制端电连接，第一端与所述第一电压端电连接，第二端与所述分压单元的第一端电连接；

第二控制单元，所述第二控制单元的控制端与所述第二控制端电连接，第一端与所述分压单元的第二端电连接，第二端与所述第二电压端电连接。

可选地，所述分压单元还包括：

第三晶体管，所述第三晶体管的第一端与所述分压单元的第一端电连接，控制端和第二端均与所述分压单元的输出端电连接；

第四晶体管，所述第四晶体管的第一端与所述分压单元的输出端电连接，控制端和第二端均与所述分压单元的第二端电连接。

可选地，所述分压单元还包括：