[发明专利]3D封装方法

权利要求书

1.一种3D封装方法，其特征在于，包括：

提供基板；

提供多个待封装芯片组，每一待封装芯片组包括第一芯片和第二芯片；

将所述多个待封装芯片组键合于所述基板上，所述第一芯片位于所述基板与所述第二芯片之间，且相邻待封装芯片组与所述基板表面之间围成塑封区；

形成互连结构，所述互连结构用于电连接所述基板与第一芯片、基板与第二芯片或者第一芯片与第二芯片；

进行选择性喷涂处理，向所述塑封区喷洒塑封料，且对位于所述塑封区的塑封料进行固化处理，形成覆盖所述基板、互连结构、所述第一芯片侧壁和第二芯片侧壁的塑封层，所述塑封层填充于所述塑封区；所述塑封层暴露出所述待封装芯片组顶部的第二芯片与所述基板相背的一侧表面；

在所述选择性喷涂处理结束后，进行所述固化处理；且在进行所述固化处理之前，还包括，在进行所述选择性喷涂处理过程中，对位于所述塑封区的塑封料进行加热处理，且所述加热处理的工艺温度低于所述固化处理的工艺温度。

2.如权利要求1所述3D封装方法，其特征在于，进行所述选择性喷涂处理的方法包括：提供可移动的喷头；采用所述喷头在所述基板上方移动，当所述喷头移动经过所述塑封区上方时，所述喷头向所述塑封区喷洒塑封料。

3.如权利要求2所述3D封装方法，其特征在于，所述喷头移动经过同一塑封区上方至少两次，以形成所述塑封层；并且，所述喷头前一次移动经过所述塑封区上方时的移动路径为第一方向，所述喷头后一次移动经过同一塑封区上方时的移动路径为第二方向，所述第二方向与第一方向不同。

4.如权利要求2或3所述3D封装方法，其特征在于，所述待封装芯片组在所述基板表面呈沿X方向和Y方向的阵列式分布，所述阵列式分布的待封装芯片组与基板表面之间围成若干行塑封区和若干列塑封区；所述喷头的移动路径包括：+X方向、-X方向、+Y方向或者-Y方向中的一种或多种。

5.如权利要求4所述3D封装方法，其特征在于，所述喷头的移动路径还包括：与X方向呈45°的倾斜方向或者与Y方向呈45°的倾斜方向。

6.如权利要求1或2所述3D封装方法，其特征在于，在进行所述选择性喷涂处理之前，获取所述基板上的塑封区的位置信息；基于获取的所述位置信息，进行所述选择性喷涂处理。

7.如权利要求2所述3D封装方法，其特征在于，所述喷头向所述塑封区喷洒塑封料的方法包括：所述塑封区具有相对的第一边界和第二边界，所述第一边界指向第二边界的方向与喷头移动方向一致，当所述喷头移动经过第一边界且距离第一边界第一距离时，所述喷头开始喷洒塑封料；当所述喷头移动至距离第二边界第二距离且未超过第二边界时，所述喷头结束喷洒塑封料。

8.如权利要求7所述3D封装方法，其特征在于，所述第一距离范围为0～30mm；所述第二距离范围为5mm～30mm。

9.如权利要求2所述3D封装方法，其特征在于，所述喷头与所述基板表面的垂直距离为5mm～30mm。

10.如权利要求1所述3D封装方法，其特征在于，所述加热处理的工艺温度范围为20℃～120℃；所述固化处理的工艺温度范围为120℃～160℃。

11.如权利要求1所述3D封装方法，其特征在于，所述选择性喷涂处理的方法包括：提供喷头和可移动载台；将所述基板置于所述可移动载台上，使所述基板在喷头下方移动，当所述塑封区移动至所述喷头下方时，所述喷头向所述塑封区喷洒塑封料。

12.如权利要求1所述3D封装方法，其特征在于，所述互连结构的形成方法包括：引线键合法、倒装芯片法或者TSV电连接法中的一种或多种。

13.如权利要求1或12所述3D封装方法，其特征在于，所述第一芯片具有第一正面和与所述第一正面相对的第一背面，且所述第一芯片内具有第一电连接结构，所述第一正面暴露出所述第一电连接结构表面；所述第二芯片内具有第二正面和与所述第二正面相对的第二背面，且所述第二芯片内具有第二电连接结构，所述第二正面暴露出所述第二电连接结构表面；将所述多个待封装芯片组键合于所述基板上，包括：所述第一背面或者第一正面键合于所述基板表面；所述第二背面或者第二正面键合于所述第一芯片上。