[发明专利]一种高亮度LED芯片及其制作方法

权利要求书

1.一种高亮度LED芯片，其特征在于，包括衬底、发光结构、电极结构和绝缘层，所述发光结构包括依次设于衬底上的第一半导体层、有源层、第二半导体层和透明导电层，所述绝缘层覆盖在发光结构上，所述电极结构包括第一电极、第二电极、以及至少两个设置在第一电极下方的第一孔洞，所述第二电极贯穿绝缘层连接在透明导电层上，所述第一电极设置在绝缘层上，所述第一孔洞从绝缘层刻蚀至第一半导体层，所述第一电极从第一孔洞延伸至第一半导体层并与第一半导体层导电连接，所述绝缘层从第一孔洞侧壁延伸至第一半导体层。

2.如权利要求1所述的高亮度LED芯片，其特征在于，所述第一孔洞的面积小于第一电极的面积，所述第一孔洞的尺寸为1-100μm。

3.如权利要求2所述的高亮度LED芯片，其特征在于，所述第一孔洞的深度为1-2μm。

4.如权利要求1所述的高亮度LED芯片，其特征在于，所述第一电极和第二电极的表面在同一平面。

5.如权利要求1所述的高亮度LED芯片，其特征在于，多个第一孔洞呈矩形、圆形排列或同心圆排列。

6.一种高亮度LED芯片的制作方法，其特征在于，包括：

在衬底上形成发光结构，所述发光结构包括依次设于衬底上的第一半导体层、有源层、第二半导体层和透明导电层；

将多孔光刻板放置在发光结构的上方，采用黄光工艺对发光结构进行刻蚀，形成至少两个第一孔洞，所述第一孔洞从透明导电层贯穿至第一半导体层；

形成绝缘层，所述绝缘层覆盖在透明导电层上，所述绝缘层从第一孔洞侧壁延伸至第一半导体层；

对所述绝缘层进行刻蚀，刻蚀至透明导电层的表面，形成第二孔洞；

在绝缘层上沉积金属，形成第一电极，在第二孔洞的透明导电层上沉积金属，形成第二电极，其中，第一电极从第一孔洞延伸至第一半导体层并与第一半导体层导电连接。

7.如权利要求6所述高亮度LED芯片的制作方法，其特征在于，所述黄光工艺包括以下步骤：

将正性光刻胶涂覆在透明导电层上，得到待光刻的LED晶圆；

对LED晶圆进行加热，加热温度为105-115℃，加热时间为3-8min；

对加热后的LED晶圆进行曝光、显影；

对显影后的LED晶圆进行加热，加热温度为105-115℃；

采用ICP对加热后的LED晶圆进行刻蚀，形成第一孔洞。

8.如权利要求7所述高亮度LED芯片的制作方法，其特征在于，所述第一孔洞的面积小于第一电极的面积，所述第一孔洞的尺寸为1-100μm。

9.如权利要求8所述高亮度LED芯片的制作方法，其特征在于，所述第一孔洞的深度为1-2μm。

10.如权利要求6所述高亮度LED芯片的制作方法，其特征在于，还包括以下步骤：

采用激光对衬底进行划片，形成X轴划痕和Y轴划痕；

采用劈刀沿着X轴划痕和Y轴划痕进行劈裂，形成单颗LED芯片。