[发明专利]一种高亮度LED芯片及其制作方法

说明书

本发明公开了一种高亮度LED芯片，包括衬底、发光结构、电极结构和绝缘层，所述电极结构包括第一电极、第二电极、以及至少两个设置在第一电极下方的第一孔洞，所述第二电极贯穿绝缘层连接在透明导电层上，所述第一电极设置在绝缘层上，所述第一孔洞从绝缘层刻蚀至第一半导体层，所述第一电极从第一孔洞延伸至第一半导体层并与第一半导体层导电连接。相应地，本发明还提供了一种高亮度LED芯片的制作方法。本发明将第一电极设置在绝缘层上，并在第一电极的下方形成刻蚀至第一半导体层的第一孔洞，从而通过第一孔洞与第一半导体层形成电连接，因此不需要对发光结构进行刻蚀，最大限度地增加了芯片的发光面积，提高芯片的亮度。

技术领域

本发明涉及发光二极管技术领域，尤其涉及一种高亮度LED芯片及其制作方法。

背景技术

LED(Light Emitting Diode，发光二极管)是一种利用载流子复合时释放能量形成发光的半导体器件，LED芯片具有耗电低、色度纯、寿命长、体积小、响应时间快、节能环保等诸多优势。

LED是一个高效节能的产品，近十几年来逐渐取代了传统照明，进入了人生活的领域。但是LED照明的价格比起传统照明仍是偏高，各个芯片、封装以及成品端，无一不想尽办法，提升亮度，降低成本，进而普及化。

参见图1，图1是现有LED芯片的结构示意图，现有LED芯片需要对发光区域进行MESA(Miniature Electrostatic Accelerometer)刻蚀，以将N型电极设置在N型半导体层上。这样会大大减少芯片的发光面积，降低芯片的亮度。

其中，增加发光面积是增加LED亮度的普遍手段，因此如何在有效的芯片尺寸上，增加发光量子井的面积，就成为当前研究的目标。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于，提供一种高亮度LED芯片，亮度高，电流分布均匀。

本发明还要解决的技术问题在于，提供一种高亮度LED芯片的制作方法，芯片亮度高，电流分布均匀。

为了解决上述技术问题，本发明提供了一种高亮度LED芯片，包括衬底、发光结构、电极结构和绝缘层，所述发光结构包括依次设于衬底上的第一半导体层、有源层、第二半导体层和透明导电层，所述绝缘层覆盖在发光结构上，所述电极结构包括第一电极、第二电极、以及至少两个设置在第一电极下方的第一孔洞，所述第二电极贯穿绝缘层连接在透明导电层上，所述第一电极设置在绝缘层上，所述第一孔洞从绝缘层刻蚀至第一半导体层，所述第一电极从第一孔洞延伸至第一半导体层并与第一半导体层导电连接，所述绝缘层从第一孔洞侧壁延伸至第一半导体层。

作为上述方案的改进，所述第一孔洞的面积小于第一电极的面积，所述第一孔洞的尺寸为1-100μm。

作为上述方案的改进，所述第一孔洞的深度为1-2μm。

作为上述方案的改进，所述第一电极和第二电极的表面在同一平面。

作为上述方案的改进，多个第一孔洞呈矩形、圆形排列或同心圆排列。

相应地，本发明还提供了一种高亮度LED芯片的制作方法，包括：

在衬底上形成发光结构，所述发光结构包括依次设于衬底上的第一半导体层、有源层、第二半导体层和透明导电层；

将多孔光刻板放置在发光结构的上方，采用黄光工艺对发光结构进行刻蚀，形成至少两个第一孔洞，所述第一孔洞从透明导电层贯穿至第一半导体层；

形成绝缘层，所述绝缘层覆盖在透明导电层上，所述绝缘层从第一孔洞侧壁延伸至第一半导体层；

对所述绝缘层进行刻蚀，刻蚀至透明导电层的表面，形成第二孔洞；