[发明专利]粗金属镓的提纯方法及结晶提纯装置在审
申请号: | 201811607066.1 | 申请日: | 2018-12-27 |
公开(公告)号: | CN109554555A | 公开(公告)日: | 2019-04-02 |
发明(设计)人: | 郭昭华;赵飞燕;王永旺;张云峰;池君洲;张小东;郭志峰;刘延红;陈东 | 申请(专利权)人: | 中国神华能源股份有限公司;神华准能资源综合开发有限公司 |
主分类号: | C22B58/00 | 分类号: | C22B58/00;C22B3/10;C22B3/06 |
代理公司: | 北京邦信阳专利商标代理有限公司 11012 | 代理人: | 李焓 |
地址: | 100011 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 筒体 提纯装置 环形管 金属镓 提纯 流量计 底部端口 温控部件 生产周期 半球形结构 生产成本低 搅拌装置 冷却结晶 螺旋环绕 三通结构 提纯效果 筒体外壁 温度读取 洗涤分离 放料管 放料口 开口端 盖板 包绕 超声 除杂 熔融 酸浸 延伸 重复 | ||
本发明提供了一种粗金属镓的提纯方法及结晶提纯装置。所述提纯方法包括对粗金属镓进行酸浸取、超声除杂、重复冷却结晶‑熔融、洗涤分离等步骤。所述结晶提纯装置包括筒体、盖板、用于搅拌所述筒体中物料的搅拌装置和温控部件,其中所述筒体底部呈半球形结构;所述筒体底部开设有放料口,并连接放料管;所述温控部件包括环形管、流量计和温度读取装置,所述环形管自所述筒体底部沿所述筒体外壁向开口端延伸,紧密包绕所述筒体,形成螺旋环绕结构,所述环形管的底部端口为三通结构,所述环形管的底部端口附近还设有流量计。本发明提供的装置及方法操作简便、流程短、生产周期短、生产成本低且提纯效果极佳。
技术领域
本发明涉及一种利用超声-晶化相结合来提纯金属镓的方法,并且针对这一方法自主设计了相关的结晶装置,将3N-4N镓提纯到6N-7N的高纯镓。
背景技术
近年来,随着光电子、微电子、通讯等高新技术行业的迅猛发展,GaAs、GaP、GaN等半导体材料得到了广泛的应用,世界上对高纯镓的需求迅速增加,因此高纯镓的开发和生产显得尤为重要。我国镓的储量居世界第一,但长期以来都是以低价出口原材料,高价进口高附加值的镓产品,为实现我国镓的可持续及高效综合利用,必须开发低成本、高效率的提纯方法。
目前,高纯镓的制备方法主要有两类:一类是物理提纯法,如真空熔炼法、拉晶法、区域熔炼法等;另一类是化学提纯法,如电解法、化学萃取法、GaCl3精馏法等。很多工艺还采用几种方法相结合的提纯方法,工艺流程比较复杂,影响因素较多,产品质量不受控制,投资大能耗高等特点,使其工业化受到限制。
中国专利申请公开号为CN8510260A和CN103160856A的专利均是采用电解-结晶联合法来生产高纯镓,将物理和化学提纯法相结合,虽然能获得高纯镓,但是整个工艺流程复杂,生产周期长,能耗和生产成本较高。
中国专利申请公开号为CN103114214A的专利中,采用有机化合物-热分解法间接生产高纯镓,将粗镓和卤代烷加热回流形成卤代镓,将滤液减压蒸馏除去溶剂,在冰水浴减压条件下析出物质,之后再采用精密减压精馏进行纯化,在精馏塔顶部得到的物质再进一步采用刮膜式分子蒸馏装置纯化,得到的产品在惰性气体保护下用紫外灯照射即得到高纯镓。该法多次采用蒸馏、精馏等操作,实验流程复杂,影响因素较多,不适合进行大规模的生产。
中国专利申请公开号为CN200310115208.X的专利公开了一种低温电解-区域熔炼技术来生产高纯镓的方法,该法需要电流2000-10000A,频率为10000Hz的高频电,能耗较大并且设备成本高,降低了大规模的工业化可行性。
因此,寻求设备简单,投资少,便于操作、产量高的生产高纯镓的方法,成为目前相关行业的重中之重。
发明内容
为了克服上述现有技术中高纯氯化镓制备的不足与缺陷,经过反复研究和实验,本发明提出了一种新的粗金属镓的提纯方法,以及可用于该方法的结晶提纯装置。本发明的镓提纯方法及装置,具有操作简便、流程短、生产周期短、生产成本低等优点
本发明提供了一种粗金属镓提纯的方法,包含以下步骤:
1)在惰性气体保护和40~60℃的温度下,使用盐酸溶液对结晶提纯装置中的粗金属镓进行搅拌浸取,得到含镓液态物料;
2)对经步骤1)搅拌浸取后所得含镓液态物料进行超声处理,然后分离去除上层含有杂质的盐酸溶液;
3)40~60℃的温度下,使用硝酸溶液对经步骤2)处理后的含镓液态物料进行搅拌浸取;
4)对经步骤3)搅拌浸取后的含镓液态物料进行超声处理,分离去除上层含有杂质的硝酸溶液;
5)向经步骤4)处理后的含镓液态物料中加入高纯镓作为晶种,在15-25℃下搅拌以逐步冷却结晶,得固态镓物料,以及未凝固的液态含镓物料;
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