[发明专利]电子束扫描机台电子束孔径动态调整结构及测试方法有效
申请号: | 201811607200.8 | 申请日: | 2018-12-27 |
公开(公告)号: | CN109712903B | 公开(公告)日: | 2021-06-15 |
发明(设计)人: | 黄莉晶 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G01R31/265 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 戴广志 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子束 扫描 机台 孔径 动态 调整 结构 测试 方法 | ||
本发明公开了一种电子束扫描机台电子束孔径动态调整结构,对晶圆的缺陷进行扫描,所述电子束孔径调整结构包含有多个围成圆形的弧形挡片,中心形成供电子束通过的孔径,中心的孔径能进行大小无级调节。所述电子束扫描机台电子束孔径动态调整结构的测试方法,机台内置扫描程序,在正式扫描前,在通过对晶圆的特定区域进行预扫描,寻找到最佳的扫描条件,以达到最好的扫描效果,形成一标准图像数据,记录其解析度;然后启动扫描程序,晶圆载入机台先运行预扫描程序,在预设区域得到解析度,然后跟标准图像数据的解析度进行比对,出现一定偏差时,机台自动调整电子束孔径大小,直到解析度与标准图像数据的解析度接近,实现动态调整解析度。
技术领域
本发明涉及半导体器件制造领域,特别是指一种电子束扫描机台电子束孔径动态调整结构。
本发明还涉及利用所述电子束扫描机台电子束孔径动态调整结构进行测试的测试方法。
背景技术
随着集成电路工艺的发展以及关键尺寸按比例缩小,半导体工艺也越来越复杂,缺陷检测也变得越来越困难与复杂。现有技术中制作缺陷样品时,一般利用缺陷扫描机台,对晶圆进行缺陷扫描,获得晶圆缺陷扫描图像,晶圆缺陷扫描图像可示出晶圆表面存在的缺陷以及晶圆表面的形貌,再将晶圆载入样品制作机台,由样品制作机台显示整体晶圆表面的晶圆形貌图像,结合已有的晶圆缺陷扫描图像和样品制作机台显示的晶圆表面形貌图像,在晶圆表面形貌图像中找到缺陷的位置并记录,以实现缺陷的定位,根据记录的缺陷位置通过聚焦离子束切割晶圆,制作包含该缺陷的样品。
E-Beam(电子束)缺陷检测机台应用比较广泛,在研发阶段能够找到工艺窗口,在实现量产过程中能够辅助工程师发现系统问题并及时调整工艺窗口,此外,在大量生产时,E-Beam能够用来监控工艺偏移,然而这些缺陷不能被普遍使用的光学检测机台所发现,在我们实际应用中,目前机台电子束孔径在扫描程式中确定后无法进行自动调整,无法得到最佳影像。
现有的电子束扫描机台的电子束通孔选择方式如图1所示,电子束通过一选定的固定孔径的硬件物理孔径部件,以形成图像。当需要某一孔径时,选择相应的通孔部件,图中实例1~6种不同孔径大小的部件,实际可能有更多的部件以适应更多的需求。当需要较多的电子束时,可以选择孔径较大的部件,比如选择1号部件,而需要较少的电子束时,选择空降相对较小的部件,比如5号、6号部件。由于都是预先设定好的固定的孔径,而且由于各个部件之间孔径不能无极调节,在实际使用中很不方便,比如3、4是相邻的两个部件,但可能出现使用3号部件孔径太大,而使用4号部件孔径又过小的问题,经常达不到最佳的效果。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于提供一种电子束扫描机台电子束孔径动态调整方式,通过改变电子束孔径装置以及加入预扫描方式达到动态调整孔径大小目的。
本发明还要解决的技术问题在于提供利用所述电子束扫描机台电子束孔径动态调整结构进行测试的测试方法。
为解决上述问题,本发明所述的一种电子束扫描机台电子束孔径动态调整结构,对晶圆的缺陷进行扫描,所述电子束扫描机台的电子束孔径调整结构包含有多个弧形挡片,所述多个弧形挡片围成圆形,中心形成供电子束通过的孔径,所述多个弧形挡片能实现动态调整,以使中心的孔径能进行大小调节。
进一步的改进是,所述的弧形挡片为不少于四个,所述的不少于四个的弧形挡片围成圆形,中间形成一供电子束通过的空洞,其空洞的孔径大小影响穿过的电子束的数量。
进一步的改进是,所述不少于四个的弧形挡片能够各自在一定范围内同时向里或向外运动,使中心的孔径能实现无级调整,使孔径能在所述的不少于四个的弧形挡片活动范围内形成任意大小的的孔径。
进一步的改进是,所述电子束扫描机台能对晶圆特定区域进行预扫描,寻找到最佳扫描条件,以达到最好的扫描效果的目的。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造