[发明专利]半导体器件接触孔开路检测结构及开路检测方法在审
| 申请号： | 201811607261.4 | 申请日： | 2018-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN109712904A | 公开（公告）日： | 2019-05-03 |
| 发明（设计）人： | 冯俊伟;景旭斌;张亮 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦天雷 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 接触孔 半导体器件 公共接触孔 开路检测 电子束检测 多晶硅栅 硅衬底 电子束 半导体器件阵列 顶端连接 开路位置 连接正常 两侧设置 准确定位 扫描时 开路 | ||
1.一种半导体器件接触孔开路检测结构，其特征在于：在所述半导体器件多晶硅栅两侧设置公共接触孔，所述公共接触孔自器件顶端连接硅衬底。
2.如权利要求1所述半导体器件接触孔开路检测结构，其特征在于：在所述半导体器件形成器件阵列时，在所述半导体器件阵列多晶硅栅两侧设置公共接触孔。
3.如权利要求1所述半导体器件接触孔开路检测结构，其特征在于：所述公共接触孔的位置是在版图规划时根据设计规则确定的。
4.如权利要求1所述半导体器件接触孔开路检测结构，其特征在于：所述公共接触孔采用光刻和蚀刻方法制造。
5.如权利要求1所述半导体器件接触孔开路检测结构，其特征在于：在半导体器件的层间介质(ILD)化学机械研磨(CMP)制程后，接触孔刻蚀同时刻蚀所述公共接触孔。
6.如权利要求1所述半导体器件接触孔开路检测结构，其特征在于：所述公共接触孔内淀积钨。
7.如权利要求6所述半导体器件接触孔开路检测结构，其特征在于：所述公共接触孔内的钨进行过化学机械研磨(CMP)。
8.一种利用权利要求1-7任意一项所述半导体器件接触孔开路检测结构的半导体器件接触孔开路检测方法：
使用接触孔开路检测仪器对半导体芯片进行检测，所述接触孔开路检测仪器显示第一情况区域判断为接触孔开路区域，所述接触孔开路检测仪器显示第二情况区域判断为接触孔正常区域。
9.如权利要求8所述半导体器件接触孔开路检测方法，其特征在于：所述接触孔开路检测仪器是电子束检测仪(E-beam)。
10.如权利要求8所述半导体器件接触孔开路检测方法，其特征在于：所述第一情况区域是电子束检测仪(E-beam)的暗区域，所述第二情况区域是电子束检测仪(E-beam)的明区域。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
