[发明专利]沟槽MOSFET和沟槽MOSFET的制造方法

权利要求书

1.一种沟槽MOSFET，其特征在于，包括：

外延层(110)，具有第一导电类型；

多个沟槽(200)，形成于所述外延层(110)中，所述多个沟槽的至少两个相连通；所述沟槽(200)的内部设置有栅结构(300)；

体区(400)，具有第二导电类型，设置在所述沟槽之间。

2.如权利要求1所述的沟槽MOSFET，其特征在于，所述体区(400)具有多个侧面，所述所述体区(400)的至少三个侧面邻接于所述沟槽(200)。

3.如权利要求2所述的沟槽MOSFET，其特征在于，所述体区(400)的侧面的个数为四个，并且所述侧面均邻接于沟槽(200)。

4.如权利要求1所述的沟槽MOSFET，其特征在于，所述沟槽(200)包括第一沟槽(201)和第二沟槽(202)；所述第一沟槽(201)沿第一方向延伸，所述第二沟槽(202)沿第二方向延伸，所述第一方向和第二方向均与所述高度方向存在不为零的夹角；并且所述第一方向和所述第二方向存在不为零的夹角，以使所述第一沟槽(201)和所述第二沟槽(202)相交形成一网状的总沟槽；

在所述第一沟槽(201)和所述第二沟槽(202)之间设置所述体区(400)。

5.如权利要求4所述的沟槽MOSFET，其特征在于，所述第一方向为所述衬底(100)的横向方向，所述第二方向为所述衬底(100)的纵向方向，所述纵向方向和所述横向方向均垂直于所述高度方向；所述体区为矩形柱状结构。

6.如权利要求4所述的沟槽MOSFET，其特征在于，所述第一沟槽(201)和所述第二沟槽(202)的数量均为多个，相邻的两个所述第一沟槽(201)间隔的距离相等，相邻的两个所述第二沟槽(202)间隔的距离相等且等于相邻的两个所述第一沟槽(201)间隔的距离。

7.如权利要求4所述的沟槽MOSFET，其特征在于，所述沟槽MOSFET还包括源极(600)和漏极(700)和接触层(800)；所述接触层(800)设于所述体区(400)的上方；所述源极(600)位于所述接触层(800)和所述所述沟槽(200)的上方；所述漏极(700)位于所述衬底(100)的下方；

在所述接触层(800)和所述体区(400)中形成一自所述接触层(800)的上表面向下延伸至所述体区(400)的接触孔(900)，所述接触孔(900)用于容纳所述源极(600)的金属。

8.如权利要求7所述的沟槽MOSFET，其特征在于，所述接触层(800)的上表面与所述沟槽(200)的上表面相齐平。

9.如权利要求1-8中任意一项所述的沟槽MOSFET，其特征在于，所述栅结构(300)包括屏蔽栅电极(310)、位于所述屏蔽栅电极(310)上方的控制栅电极(320)、包覆所述屏蔽栅电极(310)并填充在所述控制栅电极(320)侧部和底部的介质层(330)。

10.一种沟槽MOSFET的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

提供衬底(100)，具有第一导电类型；

在所述衬底上形成具有第一导电类型的外延层；

在所述外延层上形成多个沟槽(200)，至少两个沟槽相连通；

在所述沟槽(200)内制备栅结构(300)；在所述沟槽之间制备具有第二导电类型的体区(400)。

11.如权利要求10所述的沟槽MOSFET的制造方法，其特征在于，所述所述沟槽(200)两两相交。