[发明专利]晶圆级系统封装方法

权利要求书

1.一种晶圆级系统封装方法，其特征在于，包括：

形成键合结构，所述键合结构包括：器件晶圆以及键合于所述器件晶圆的多个芯片，所述多个芯片中待屏蔽的芯片为第一芯片，所述第一芯片的数量为一个或多个；相邻所述芯片与所述器件晶圆之间围成塑封区；所述器件晶圆中形成有多个第二芯片；

获取所述塑封区的位置信息；基于获取的所述位置信息，进行选择性喷涂处理，向所述塑封区喷洒塑封料，且对所述塑封料进行固化处理，形成覆盖所述器件晶圆和所述芯片侧壁，并露出所述芯片的顶面的塑封层，所述选择性喷涂处理的方法包括：提供可移动的喷头；所述喷头移动经过同一塑封区上方至少两次，以形成所述塑封层；

在所述塑封层中形成围绕各个所述第一芯片的沟槽；

在所述沟槽中和第一芯片上方形成导电材料；位于所述沟槽中的导电材料为导电侧壁，位于所述第一芯片上方的导电材料为导电层，用于与所述导电侧壁相连构成屏蔽壳体；

在形成所述导电层之后器件晶圆中形成硅通孔互连结构。

2.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述选择性喷涂处理的方法包括：

提供可移动的喷头；

采用所述喷头在所述器件晶圆上方移动，当所述喷头移动经过所述塑封区上方时，所述喷头向所述塑封区喷洒塑封料。

3.如权利要求2所述的封装方法，其特征在于，所述喷头移动经过同一塑封区上方至少两次，以形成所述塑封层；并且，所述喷头前一次移动经过所述塑封区上方时的移动路径具有第一方向，所述喷头后一次移动经过同一塑封区上方时的移动路径具有第二方向，所述第二方向与第一方向不同。

4.如权利要求2或3所述的封装方法，其特征在于，所述芯片在所述器件晶圆上呈沿X方向和Y方向的阵列式分布，所述阵列式分布的芯片与器件晶圆之间围成若干行塑封区和若干列塑封区；所述喷头的移动路径具有的方向包括：+X方向、-X方向、+Y方向或者-Y方向中的一种或多种。

5.如权利要求4所述的封装方法，其特征在于，所述喷头的移动路径具有的方向还包括：与X方向呈45°的倾斜方向或者与Y方向呈45°的倾斜方向。

6.如权利要求2所述的封装方法，其特征在于，在进行所述选择性喷涂处理之前，获取所述器件晶圆上的塑封区的位置信息；基于获取的所述位置信息，进行所述选择性喷涂处理。

7.如权利要求6所述的封装方法，其特征在于，获取所述塑封区的位置信息的方法包括：基于预设位置信息将所述芯片置于所述器件晶圆上，将所述预设位置信息作为所述器件晶圆上的塑封区的位置信息；或者，在将所述芯片置于所述器件晶圆上后，对所述器件晶圆表面进行光照射，采集经所述器件晶圆表面反射的光信息，获取所述塑封区的位置信息。

8.如权利要求6所述的封装方法，其特征在于，基于获取的所述位置信息，进行所述选择性喷涂处理的方法包括：所述喷头在器件晶圆上方移动的同时，即时获取喷头在器件晶圆上的实时位置；基于所述实时位置和获取的位置信息，控制所述喷头在所述器件晶圆上移动的过程中向所述塑封区喷洒塑封料。

9.如权利要求2所述的封装方法，其特征在于，在所述选择性喷涂处理的步骤中，所述喷头与所述器件晶圆之间的垂直距离为5mm～30mm，所述喷头移动的速率为0.01m/s至0.1m/s，所述喷头喷洒塑封料的流量为1ml/s至10ml/s。

10.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述选择性喷涂处理的方法包括：

提供喷头和可移动载台；

将所述器件晶圆置于所述可移动载台上，使所述器件晶圆在喷头下方移动，当所述塑封区移动至所述喷头下方时，所述喷头向所述塑封区喷洒塑封料。

11.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，在所述选择性喷涂处理结束后，进行所述固化处理。