[发明专利]介电间隙填充有效
| 申请号： | 201811608154.3 | 申请日： | 2018-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN110600421B | 公开（公告）日： | 2022-05-10 |
| 发明（设计）人： | 彭羽筠 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 间隙 填充 | ||
1.一种半导体处理的方法，所述方法包括：
使用原子层沉积(ALD)工艺在第一沟槽和第二沟槽中共形地沉积第一介电材料，所述第一沟槽限定在第一鳍和第二鳍之间，所述第二沟槽限定在第三鳍和第四鳍之间，所述第二沟槽比所述第一沟槽宽；
在共形地沉积所述第一介电材料之后，将所述第一介电材料转换成第二介电材料，其中，在将所述第一介电材料转换成所述第二介电材料之后，所述第一沟槽被完全填充；以及
在将所述第一介电材料转换成所述第二介电材料之后，在所述第二沟槽中的所述第二介电材料上方沉积第三介电材料，并且将所述第三介电材料转换成第四介电材料，其中，在将所述第三介电材料转换成所述第四介电材料之后，所述第二沟槽被完全填充。
2.根据权利要求1所述的方法，其中：
在共形地沉积所述第一介电材料之后，在所述第一沟槽的最窄宽度处的第一沟槽的相应侧壁的生长前沿保持不合并；和
在将所述第一介电材料转换成所述第二介电材料之后，所述第二介电材料填充所述第一沟槽的最窄宽度处的第一沟槽的侧壁之间的所述第一沟槽。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，将所述第一介电材料转换为所述第二介电材料使得所述第一介电材料在所述第一介电材料被转换为所述第二介电材料时膨胀。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二介电材料的密度低于所述第一介电材料的密度。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二介电材料具有比所述第一介电材料更低的介电值(k值)。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述原子层沉积工艺包括一个或多个循环，每个循环包括：
脉冲包含硅和有机基团的前体气体，所述前体气体不含氧；和
脉冲包含氮的反应气体。
7.根据权利要求1所述的方法，其中：
所述第一介电材料包括氮化物；和
将所述第一介电材料转换为所述第二介电材料包括氧化工艺。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，将所述第一介电材料转换为所述第二介电材料包括：将所述第一介电材料暴露于含氧环境，其中，所述第二介电材料包括氧化物。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，将所述第一介电材料暴露于所述含氧环境是在退火、气体浸渍、等离子体工艺或紫外(UV)处理中的至少一种中实施的。
10.根据权利要求1所述的方法，还包括：
使所述第一沟槽中的第二介电材料凹进；和
在凹进的第二介电材料上和第一沟槽的侧壁上形成栅极结构，其中，所述第一沟槽的侧壁是所述第一鳍和所述第二鳍的相应侧壁，所述栅极结构形成在所述第一鳍和所述第二鳍上。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
