[发明专利]一种倒置有机电致发光器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201811608548.9 | 申请日： | 2018-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN109713150A | 公开（公告）日： | 2019-05-03 |
| 发明（设计）人： | 刘家杰;陈旻彧;赵艺;杨佳丽;凌志天;丁星伟;徐韬;李春亚;魏斌 | 申请（专利权）人： | 上海大学 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/56;H01L51/52 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 杜阳阳 |
| 地址： | 200000*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 有机电致发光器件 倒置 半导体透明导电膜 有机层 制备 金属电极 铝层 电流效率 基底层 上表面 | ||
1.一种倒置有机电致发光器件，其特征在于，包括：半导体透明导电膜、铝层、有机层以及金属电极；
所述半导体透明导电膜为基底层，所述铝层设于所述半导体透明导电膜以及所述有机层之间，所述金属电极覆于所述有机层的上表面，形成倒置有机电致发光器件。
2.根据权利要求1所述的倒置有机电致发光器件，其特征在于，所述半导体透明导电膜为铟锡氧化物半导体透明导电膜。
3.根据权利要求1所述的倒置有机电致发光器件，其特征在于，所述有机层包括电子传输层、发光层、空穴传输层以及空穴注入层；
所述电子传输层覆于所述铝层的上表面；所述发光层设于所述电子传输层的上表面；所述空穴传输层设于所述发光层的上表面；所述空穴注入层设于所述空穴传输层的上表面。
4.根据权利要求1所述的倒置有机电致发光器件，其特征在于，所述金属电极为铝电极、铜电极或银电极。
5.根据权利要求4所述的倒置有机电致发光器件，其特征在于，所述金属电极的厚度范围为130nm～170nm。
6.根据权利要求1所述的倒置有机电致发光器件，其特征在于，所述半导体透明导电膜的厚度范围为140nm～160nm。
7.根据权利要求1所述的倒置有机电致发光器件，其特征在于，所述铝层的厚度范围为1nm～2nm。
8.一种倒置有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括：
对半导体透明导电膜进行预处理，得到处理后的半导体透明导电膜；
将所述处理后的半导体透明导电膜放置在真空蒸镀仪中；
将放有金属铝的开放舟固定在所述真空蒸镀仪中的舟位上；
关闭所述真空蒸镀仪的腔门，进行抽真空处理；
当所述真空蒸镀仪的腔内真空度等于第一真空度阈值时，将放置金属铝的舟源通电流，加热蒸发；
当所述金属铝的蒸发速率达到第一蒸发速率阈值时，向所述半导体透明导电膜蒸镀铝层；
所述铝层到达所述铝层的厚度范围后，关闭所述真空蒸镀仪，并向所述铝层镀上所述有机层，形成所述倒置有机电致发光器件。
9.根据权利要求8所述的倒置有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述对半导体透明导电膜进行预处理，得到处理后的半导体透明导电膜，具体包括：
清洗干燥所述半导体透明导电膜，得到干燥后的半导体透明导电膜；
利用紫外光照，照射所述干燥后的半导体透明导电膜15min之后，静置30min，得到处理后的半导体透明导电膜。
10.根据权利要求8所述的倒置有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述第一蒸发速率阈值为
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