[发明专利]一种倒置有机电致发光器件及其制备方法

说明书

本发明公开了一种倒置有机电致发光器件及其制备方法。所述倒置有机电致发光器件，包括：半导体透明导电膜、铝层、有机层以及金属电极；所述半导体透明导电膜为基底层，所述铝层设于所述半导体透明导电膜以及所述有机层之间，所述金属电极覆于所述有机层的上表面，形成倒置有机电致发光器件。采用本发明所提供的倒置有机电致发光器件及其制备方法能够提高有机电致发光器件的电流效率。

技术领域

本发明涉及有机电致发光器件领域，特别是涉及一种倒置有机电致发光器件及其制备方法。

背景技术

近些年来，有机电致发光器件已经普遍应用于实际生产生活中，尤其是在照明显示领域已然大放异彩，相比较于传统的无机电致发光器件，其研究、制备和应用已成为当今最为活跃的研究领域之一。

有机电子器件是以能够导电的有机材料为基础制备的具有特定功能的半导体器件，由于有机电子器件中的有机材料大部分是由碳和氢组成的，用它们来做电子器件具有很多好处，例如易制作、成本低、化学可调、透明易弯曲等。我们利用有机电子器件的这些优点可以将其应用于图案化大面积显示领域(如汽车尾灯、灯牌等)。

以往我们制备有机电致发光器件时通常采用正置的方法发光，光经过基板时势必会被建立在基板上的TFT和金属线电路所挡住，所以实际发光的面积就会受到限制，缩减可以发光的面积所占的比率；倒置的有机电致发光器件与一般期间的制作流程刚好相反，主要的好处是适合n-沟道a-Si薄膜晶体管结合，便于制作大面积高效率的主动矩阵驱动的器件。

现有倒置有机电致发光器件的主要缺点为：ITO的功函数一般在4.8eV左右，而电子传输层的LUMO一般在2.5eV～3.5eV，这就意味着电子的注入势垒高达1.3eV～2.3eV，电子的注入非常困难，从而导致倒置有机电致发光器件的电流效率低。

发明内容

本发明的目的是提供一种倒置有机电致发光器件及其制备方法，以解决传统的倒置有机电致发光器件的电子的注入非常困难以致电流效率低的问题。

为实现上述目的，本发明提供了如下方案：

一种倒置有机电致发光器件，包括：半导体透明导电膜、铝层、有机层以及金属电极；

所述半导体透明导电膜为基底层，所述铝层设于所述半导体透明导电膜以及所述有机层之间，所述金属电极覆于所述有机层的上表面，形成倒置有机电致发光器件。

可选的，所述半导体透明导电膜为铟锡氧化物半导体透明导电膜。

可选的，所述有机层包括电子传输层、发光层、空穴传输层以及空穴注入层；

所述电子传输层覆于所述铝层的上表面；所述发光层设于所述电子传输层的上表面；所述空穴传输层设于所述发光层的上表面；所述空穴注入层设于所述空穴传输层的上表面。

可选的，所述金属电极为铝电极、铜电极或银电极。

可选的，所述金属电极的厚度范围为130nm～170nm。

可选的，所述半导体透明导电膜的厚度范围为140nm～160nm。

可选的，所述铝层的厚度范围为1nm～2nm。

一种倒置有机电致发光器件的制备方法，包括：

对半导体透明导电膜进行预处理，得到处理后的半导体透明导电膜；

将所述处理后的半导体透明导电膜放置在真空蒸镀仪中；

将放有金属铝的开放舟固定在所述真空蒸镀仪中的舟位上；

关闭所述真空蒸镀仪的腔门，进行抽真空处理；

当所述真空蒸镀仪的腔内真空度等于第一真空度阈值时，将放置金属铝的舟源通电流，加热蒸发；