[发明专利]离子源

说明书

本发明提供一种离子源。利用形成有离子束引出用的长孔的碳构件，抑制剥离后的堆积物横跨长孔而致使引出的离子束的束电流量减少。离子源(IS)具有形成有离子束引出用的长孔(H)的碳构件(C)，在长孔(H)的长边形成有切口(E)。

技术领域

本发明涉及通过长孔引出离子束的离子源。

背景技术

在离子注入装置中，使用用于生成离子束的离子源。

作为离子源的例子，如专利文献1所记载的离子源那样，公知一种离子源，该离子源从在等离子体生成容器中生成的等离子体通过截面加工成锥形的长孔引出离子束。

在大多数的半导体制造工序中，有时为了避免金属污染而采用防止或抑制金属成分从离子源向目标侧飞散的对策。作为该对策之一，如专利文献2所示，考虑在构成生成等离子体的等离子体生成容器的构件中使用含有碳的构件(以下称为碳构件)。

在将碳构件用于等离子体生成容器的形成有长孔的部位的情况下，在离子源运转时的温度为1000℃以上而非常高的环境下，碳构件再石墨化而产生微碳。

如果再石墨化产生的微碳与包含在离子束中的离子成分反应，则存在反应物堆积于长孔的边缘部分的趋势。这可以认为受到在边缘部分形成许多悬挂键的影响。

图4中描绘了在形成于碳构件C的长孔H的边缘部分附着堆积有反应物时的例子。同图描绘的堆积物U在某一时刻剥离。这可以认为是受到堆积物与作为附着目的地的碳构件C的材质不同而热膨胀系数不同产生的影响。

在剥离后的堆积物U横跨长孔H的情况下，难以从被堆积物U遮挡的位置引出离子束，从而产生引出的束电流量减少等不良情况。

专利文献1：日本专利公开公报特开2006-147226号

专利文献2：国际申请说明书日文译本特表2017-500709号

发明内容

本发明的主要目的在于利用形成有离子束引出用的长孔的碳构件，抑制剥离后的堆积物横跨长孔而致使引出的离子束的束电流量减少。

本发明提供一种离子源，具有形成有离子束引出用的长孔的碳构件，在所述长孔的长边形成有切口。

根据上述结构的离子源，由于形成有切口，所以能够利用切口部分断开附着堆积于长孔的边缘部分的堆积物。

通过断开该堆积物，能够使剥离时的堆积物的尺寸比以往短，因此即使堆积物剥离而横跨长孔，也能够充分确保离子束能够通过的区域，从而能够抑制引出的离子束的束电流量的减少。

优选的是，所述切口形成于所述长孔的各长边。

此外，优选的是，形成于各长边的所述切口在所述长孔的长边方向上偏移。

也可以构成为，在所述长孔的长边形成有多个所述切口，形成于所述长孔的长边方向的所述切口间的尺寸比所述长孔的短边方向的尺寸短。

也可以构成为，在所述长孔的各长边形成有多个所述切口，具有在所述长孔的短边方向上对置的所述切口间，具有对置关系的两个切口间的合计尺寸比长孔的短边方向的尺寸短。

在等离子体生成容器中使用的等离子体生成用的气体含有氟。

由于形成有切口，所以能够利用切口部分断开附着堆积于长孔的边缘部分的堆积物。

通过断开该堆积物，能够使剥离时堆积物的尺寸比以往短，因此即使堆积物剥离而横跨长孔，也能够充分确保离子束能够通过的区域，从而能够抑制引出的离子束的束电流量的减少。

附图说明

图1是表示离子源的整体的简要截面图。