[发明专利]抛光垫的修整方法、修整装置、抛光垫及双面抛光装置有效
申请号: | 201811609439.9 | 申请日: | 2018-12-27 |
公开(公告)号: | CN109551360B | 公开(公告)日: | 2020-07-28 |
发明(设计)人: | 白宗权;具成旻;崔世勋;李昀泽 | 申请(专利权)人: | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 |
主分类号: | B24B37/26 | 分类号: | B24B37/26;B24B37/08;B24B53/017;B24B53/12 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 黄灿;胡影 |
地址: | 710065 陕西省西安市*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 抛光 修整 方法 装置 双面 | ||
本发明提供一种抛光垫的修整方法、修整装置、抛光垫及双面抛光装置,该修整方法包括:通过控制双面抛光装置的上抛光板和下抛光板形变,使得上抛光板和所述下抛光板之间的间距,从靠近旋转轴线至远离旋转轴线的方向上呈递增趋势;并通过安装于上抛光垫和下抛光垫之间的修整工具对上抛光垫和下抛光垫的表面进行修整,修整后的上抛光垫和下抛光垫之间具有理想的工作间隙,提高了双面抛光装置的抛光性能。并且,在修整抛光垫的过程中,只需控制上抛光板和下抛光板形变即可,无需借助其他载体的辅助,修整过程快速高效,且修整精度高。
技术领域
本发明涉及抛光技术领域,尤其涉及一种抛光垫的修整方法、修整装置、抛光垫及双面抛光装置。
背景技术
为了满足制造商对硅片表面平整度的高要求,在晶圆加工过程中,开发了一系列用来提高晶圆的平整度和降低粗糙度的工艺流程,其中抛光技术通常由于将化学和机械两种方式相结合,能够很好地控制晶圆最终的表面参数。
双面抛光(DSP)正是利用上述化学机械方式进行晶圆的双面抛光,其中待抛光晶圆被放置在上抛光板和下抛光板之间的承载盘中,其中上、下抛光板表面分别贴附有上、下抛光垫。在抛光过程中,承载盘被放置在上、下抛光垫之间的缝隙处,这种缝隙被称为工作间隙,所述承载盘通过旋转装置的驱动,围绕自身轴线旋转的同时围绕旋转装置的旋转轴线进行公转,以下称这种运动为摆线运动。晶圆的双面抛光的一个主要目的是为了改善晶圆的表面特征参数,但在抛光加工过程中,由于晶圆陷入抛光垫的程度和边缘被研磨的程度不同,从而容易发生边缘滚压现象,进而降低硅晶圆的表面平整度。
为了解决这一问题,相关技术中提出通过修整抛光垫表面的形貌来改变抛光垫之间的工作间隙。然而,在修整抛光垫的过程中,通常需要在上、下抛光板之间固定安装楔状的加载片或者高度不同的间隔件等,来获得工作间隙不同的抛光垫,上述技术虽然可以通过改变抛光垫的工作间隙实现硅片表面平整度的提高,但在修整过程中,一方面,加载片或间隔件的固定安装比较复杂,浪费工时,另外一方面,在修整过程中,加载片或间隔件也同样会被磨损,使得抛光垫的修整精度降低。
发明内容
有鉴于此,本发明提供一种抛光垫的修整方法、修整装置、抛光垫及双面抛光装置,能够快速高效地修整抛光垫,且修整精度高。
为解决上述技术问题,本发明提供一种双面抛光装置的抛光垫的修整方法,所述双面抛光装置包括:相对设置的上抛光板和下抛光板,设置于所述上抛光板上的上抛光垫,设置于所述下抛光板上的下抛光垫,与所述上抛光板和下抛光板具有共同的旋转轴线的旋转装置;所述修整方法包括:
调整步骤:控制所述上抛光板和所述下抛光板形变,使得所述上抛光板和所述下抛光板之间的间距,从靠近所述旋转轴线至远离所述旋转轴线的方向上呈递增趋势;
修整步骤:控制所述上抛光板、所述下抛光板和所述旋转装置旋转,以驱动安装于所述上抛光垫和所述下抛光垫之间的修整工具围绕自身的轴线自转且同时绕所述旋转轴线公转,以对所述上抛光垫和下抛光垫的表面进行修整,得到修整后的上抛光垫和下抛光垫,修整后的上抛光垫和下抛光垫之间的工作间隙,从靠近所述旋转轴线至远离所述旋转轴线的方向上呈递减趋势。
可选的,所述调整步骤包括:
将所述上抛光板和下抛光板与气动液压系统的调整件连接,其中,所述上抛光板和下抛光板分别与多个所述调整件连接;
通过所述气动液压系统控制所述调整件形变,来控制所述上抛光板和所述下抛光板形变,使得所述上抛光板和所述下抛光板之间的间距,从靠近所述旋转轴线至远离所述旋转轴线的方向上呈递增趋势。
可选的,所述上抛光板和下抛光板均由多块子抛光板拼接而成,每一所述子抛光板连接至少一所述调整件,所述通过所述气动液压系统控制所述调整件形变,来控制所述上抛光板和所述下抛光板形变包括:
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