[发明专利]激光处理设备及激光处理方法

说明书

本发明提供一种激光处理设备和激光处理方法，激光处理设备和激光处理方法可在使用激光束处理衬底的同时实时地检测衬底的变形。激光处理设备包含：平台，经过安装以便将衬底定位在腔室内部；第一检测单元，配置成检测从衬底反射的激光束的反射光；第二检测单元，配置成检测衬底高度；以及感测单元，分析收集的数据且确定衬底的变形。激光处理方法包含：在处理方向上移动衬底时，用激光束照射衬底；检测从衬底反射的反射光和衬底的高度；以及分析检测到的数据以检测衬底的变形。

技术领域

本公开涉及一种激光处理设备和激光处理方法，且更确切地说，涉及一种可在用激光处理衬底的同时实时地检测衬底的变形的激光处理设备和激光处理方法。

背景技术

制造例如AMOLED面板的显示器设备涉及对应于低温多晶硅工艺的准分子激光退火(excimer laser annealing；ELA)工艺。在本文中，准分子激光退火工艺是使用准分子激光形成多晶硅(polycrystalline silicon；P-Si)薄膜的过程。即，在准分子激光退火工艺中，从准分子激光光源发射的脉冲激光束形成为线光束，且用此线光束照射衬底上的非晶硅(amorphous silicon；a-Si)薄膜，由此使非晶硅薄膜结晶。

准分子激光退火工艺的问题在于在玻璃衬底上发生例如翘曲的变形。在相关技术中，在完成准分子激光退火工艺之后，工程师通过使用目视检查设备来直接检查处理完成的衬底的变形。即，存在的问题在于，由于工程师直接检查衬底且检查衬底是否异常，因此结果根据工程师的技能水平而变化，且检查花费较长时间。

在以下专利文献中公开本公开的背景技术。

[相关技术文献]

[专利文献]

(专利文献1)KR10-2011-0071591A

(专利文献2)KR10-2015-0046425A

发明内容

本公开提供激光处理设备和激光处理方法，利用所述激光处理设备和方法可在用激光处理衬底的同时实时地检测衬底的变形。

根据示范性实施例，激光处理设备包含：腔室，具有位于所述腔室中的处理空间和安装在所述腔室的一侧上的透射窗口；平台，经过安装以便定位腔室的内部的衬底；第一检测单元，配置成检测从衬底反射的反射光；第二检测单元，配置成检测衬底的高度；以及感测单元，收集通过第一检测单元和第二检测单元检测到的数据，分析收集的数据且确定衬底的变形。

第一检测单元可检测平台的每个位置的反射光强度，且第二检测单元可针对平台的每个位置和衬底的每个区段来检测衬底的高度。

第二检测单元可在衬底的处理方向上定位在第一检测单元的前面。

感测单元可包含：收集部件，配置成存储检测到的反射光强度的值和检测到的衬底的高度的值；分析部件，将存储在收集部件中的值分别与参考强度值和参考高度值进行比较，且使用比较结果来计算第一区和第二区；以及确定部件，配置成将第一区与第二区的交叠区域确定为变形区域。

激光处理设备可包含配置成显示感测单元的确定结果的显示单元。

显示单元可在屏幕上实时地显示感测单元中收集的数据和感测单元的确定结果。

根据另一示范性实施例，激光处理方法包含：将衬底定位在激光束的传播路径上；在处理方向上移动衬底时用激光束照射衬底；检测从衬底反射的反射光；检测衬底的高度；以及收集和分析检测到的数据且使用分析结果确定衬底的变形。

在检测反射光时，可检测平台的每个位置的反射光强度，且在检测高度时，可针对平台的每个位置和衬底的每个区段来检测衬底的高度。

在移动衬底时可一起执行检测反射光和检测高度，且检测反射光的位置可在检测处理方向上的高度的位置的下游。