[发明专利]晶圆处理方法和装置

权利要求书

1.一种晶圆处理方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S1，抛光所述晶圆的切口；

步骤S2，抛光所述晶圆的边缘；

重复交替执行步骤S1和步骤S2，并以步骤S2结束。

2.根据权利要求1所述的晶圆处理方法，其特征在于，在步骤S2结束之后还包括：

步骤S3，通过绒式垫抛光所述晶圆的边缘。

3.根据权利要求2所述的晶圆处理方法，其特征在于，在步骤S1中，通过毡式垫抛光所述晶圆的切口；在步骤S2中，通过毡式垫抛光所述晶圆的边缘。

4.根据权利要求3所述的晶圆处理方法，其特征在于，在步骤S1中，所述毡式垫的转速为500-800rpm，抛光时间为20-60s，浆料的供应速度为1-5L/min；

在步骤S2中，所述毡式垫的转速为100-400rpm，所述晶圆的转速为5-30rpm，抛光时间为20-60s，浆料的供应速度为1-5L/min。

5.根据权利要求2所述的晶圆处理方法，其特征在于，在步骤S3中，所述绒式垫的转速为100-400rpm，所述晶圆的转速为5-30rpm，抛光时间为20-60s，浆料的供应速度为1-5L/min。

6.一种晶圆处理装置，其特征在于，包括：

第一抛光结构，用于抛光晶圆的切口；

第二抛光结构，用于抛光所述晶圆的边缘。

7.根据权利要求6所述的晶圆处理装置，其特征在于，还包括：

第三抛光结构，所述第三抛光结构包括绒式垫，所述绒式垫用于抛光所述晶圆的边缘。

8.根据权利要求7所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述第一抛光结构包括毡式垫，所述第一抛光结构中的毡式垫用于抛光所述晶圆的切口；所述第二抛光结构包括毡式垫，所述第二抛光结构中的毡式垫用于抛光所述晶圆的边缘。

9.根据权利要求8所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述第一抛光结构用于控制所述第一抛光结构中的毡式垫的转速为500-800rpm，抛光时间为20-60s，浆料的供应速度为1-5L/min；

所述第二抛光结构用于控制所述第二抛光结构中的毡式垫的转速为100-400rpm，所述晶圆的转速为5-30rpm，抛光时间为20-60s，浆料的供应速度为1-5L/min。

10.根据权利要求7所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述第三抛光结构用于控制所述绒式垫的转速为100-400rpm，所述晶圆的转速为5-30rpm，抛光时间为20-60s，浆料的供应速度为1-5L/min。