[发明专利]晶圆处理方法和装置

说明书

本发明提供一种晶圆处理方法和装置，晶圆处理方法包括以下步骤：抛光晶圆的切口；抛光晶圆的边缘，重复交替执行抛光晶圆的切口和抛光晶圆的边缘，并以抛光晶圆的边缘结束。根据本发明的晶圆处理方法，通过抛光晶圆的切口和抛光晶圆的边缘重复交替进行，并以抛光晶圆的边缘结束，改善切口角附近的突起去除率，提高切口研磨品质，降低边缘区域降落的颗粒对后续工序的影响，通过上述方法处理晶圆不会降低产能，能够通过增加边缘面的整体研磨量来减少边缘未研磨导致的缺陷，减少再作业率，增强晶圆边缘的研磨效果。通过晶圆处理装置能够实现上述的方法，保证晶圆的研磨品质。

技术领域

本发明涉及晶圆技术领域，特别涉及一种晶圆处理方法和装置。

背景技术

边缘抛光在半导体工程的多个阶段中涂覆时予以防止边缘附近的缺陷导致的不均匀的涂覆，相较于仅被研磨的面状态，被抛光的边缘面的表面强度更高，因而有着予以减少外部冲击导致的裂纹的产生的目的。

就晶圆边缘抛光工程而言，由于其研磨圆面不是平坦面的机构特性，无法在所有方向上进行均匀的研磨，尤其，多发边缘圆边侧研磨不良，且由此产生的边缘再加工降低装备产能，成为提升制造费用的原因。此外，通过毡式垫的边缘收尾工程，边缘粗糙度相对高于表面，因而颗粒有可能陷落于边缘区域，有可能会对后续清洗工程造成不良影响。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种晶圆处理方法。

本发明还提供一种晶圆处理装置，通过晶圆处理装置能够实现晶圆处理方法，能够改善切口角附近的突起去除率，提高切口研磨品质，增强晶圆边缘的研磨效果，提高晶圆的研磨品质。

为解决上述技术问题，本发明采用以下技术方案：

根据本发明第一方面实施例的晶圆处理方法，包括以下步骤：

步骤S1，抛光所述晶圆的切口；

步骤S2，抛光所述晶圆的边缘；

重复交替执行步骤S1和步骤S2，并以步骤S2结束。

进一步地，在步骤S2结束之后还包括：

步骤S3，通过绒式垫抛光所述晶圆的边缘。

进一步地，在步骤S1中，通过毡式垫抛光所述晶圆的切口；在步骤S2中，通过毡式垫抛光所述晶圆的边缘。

进一步地，在步骤S1中，所述毡式垫的转速为500-800rpm，抛光时间为20-60s，浆料的供应速度为1-5L/min；

在步骤S2中，所述毡式垫的转速为100-400rpm，所述晶圆的转速为5-30rpm，抛光时间为20-60s，浆料的供应速度为1-5L/min。

进一步地，在步骤S3中，所述绒式垫的转速为100-400rpm，所述晶圆的转速为5-30rpm，抛光时间为20-60s，浆料的供应速度为1-5L/min。

根据本发明第二方面实施例的晶圆处理装置，包括：

第一抛光结构，用于抛光晶圆的切口；

第二抛光结构，用于抛光所述晶圆的边缘。

进一步地，所述晶圆处理装置还包括：

第三抛光结构，所述第三抛光结构包括绒式垫，所述绒式垫用于抛光所述晶圆的边缘。

进一步地，所述第一抛光结构包括毡式垫，所述第一抛光结构中的毡式垫用于抛光所述晶圆的切口；所述第二抛光结构包括毡式垫，所述第二抛光结构中的毡式垫用于抛光所述晶圆的边缘。

进一步地，所述第一抛光结构用于控制所述第一抛光结构中的毡式垫的转速为500-800rpm，抛光时间为20-60s，浆料的供应速度为1-5L/min；