[发明专利]磁传感器有效
申请号: | 201811610981.6 | 申请日: | 2018-12-27 |
公开(公告)号: | CN109974569B | 公开(公告)日: | 2022-07-15 |
发明(设计)人: | 须藤俊英 | 申请(专利权)人: | TDK株式会社 |
主分类号: | G01B7/02 | 分类号: | G01B7/02;G01B7/00;H01L43/08 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 杨琦;黄浩 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 传感器 | ||
1.一种磁传感器,其特征在于,
包括:
多个磁阻元件,其具有多层结构和磁敏轴;以及
多对软磁体,其屏蔽施加到所述磁阻元件的磁场,
其中,从所述磁阻元件的所述多层结构的层叠方向上观察,各软磁体包含两组直线的边的组,并包含位于2个相邻的所述直线的边之间的至少一个倾斜边,所述倾斜边相对于所述相邻的2个直线的边的各个倾斜,
各磁阻元件具有检测磁场的变化的磁敏轴,所述多个磁阻元件配置在垂直于所述磁敏轴和所述层叠方向的方向,
所述多对软磁体的各对配置成在所述层叠方向上面对所述多个磁阻元件中的对应的磁阻元件的互相相对的面,并且所述多对软磁体配置在垂直于所述磁敏轴和所述层叠方向的方向。
2.根据权利要求1所述的磁传感器,其中,从所述层叠方向观察,所述软磁体的每个角部都具有所述倾斜边。
3.根据权利要求1所述的磁传感器,其中,从所述层叠方向观察,所述倾斜边仅由直线形成。
4.根据权利要求1所述的磁传感器,其中,从所述层叠方向观察,所述倾斜边仅由曲线形成。
5.根据权利要求1所述的磁传感器,其中,从所述层叠方向观察,所述倾斜边由曲线和直线的组合形成。
6.根据权利要求5所述的磁传感器,其中,从所述层叠方向观察,所述倾斜边由所述直线和两条曲线形成,所述两条曲线分别连接到所述直线的两端。
7.根据权利要求2所述的磁传感器,其中,从所述层叠方向观察,第一线的延伸线与第二线的延伸线的交叉点与所述角部的距离为1.0×10-3μm以上且5.0μm以下,其中所述第一线形成所述软磁体的周缘的一部分,并且所述第二线形成所述周缘的另一部分并且相对于所述第一线倾斜。
8.根据权利要求1所述的磁传感器,其中,
从所述层叠方向上观察,各软磁体在其周缘的至少一部分上具有钝角或曲线。
9.一种磁传感器,其特征在于,
包括:
磁阻元件,其具有多层结构和磁敏轴;以及
一对软磁体,其收集施加到所述磁阻元件的磁场,
其中,从所述磁阻元件的所述多层结构的层叠方向上观察,各软磁体包含两组直线的边的组,并包含位于2个相邻的所述直线的边之间的至少一个倾斜边,所述倾斜边相对于所述相邻的2个直线的边的各个倾斜,
从所述层叠方向上观察,所述一对软磁体夹着所述磁阻元件。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的磁传感器,其中,所述磁阻元件显现出隧道磁阻效应。
11.根据权利要求1至9中任一项所述的磁传感器,其中,所述磁阻元件显现出巨磁阻效应。
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