[发明专利]磁传感器

说明书

根据本发明的磁传感器具有磁阻元件，该磁阻元件具有多层结构和磁敏轴，并且至少一个软磁体设置在磁阻元件附近。从磁阻元件的层叠方向上观察，软磁体至少在其角部具有倾斜线,该倾斜线相对于所述软磁体的向该角部延伸的两边倾斜。

技术领域

本申请基于2017年12月27日提交的日本申请No.2017-250476并要求其优先权，其公开内容通过引用整体并入本文。

本发明涉及磁传感器。

背景技术

作为用于检测移动物体的位置的传感器，已知拥有具有磁阻效应的元件的磁传感器(参见JPH11-87804)。磁传感器相对于磁体移动，并且从而检测由磁体产生的外部磁场的变化，并基于检测到的外部磁场的变化计算移动物体的移动距离。

JPH11-87804中公开的磁传感器拥有具有磁阻效应的巨磁阻薄膜和一对软磁薄膜，如图1中所公开的。该磁传感器的巨磁阻薄膜是细长的，并且软磁薄膜关于其长轴配置在巨磁阻薄膜的两侧上。如在巨磁阻薄膜的膜厚方向中观察的，每个软磁薄膜都是矩形的。换句话说，如在巨磁阻薄膜的膜厚方向中观察的，每个软磁薄膜的每个角部都具有边缘(尖部)。在该磁传感器中，对磁场具有差灵敏度的巨磁阻薄膜与软磁薄膜结合，以便增强对磁场的灵敏度。

发明内容

在JPH11-87804中公开的磁传感器中，其中软磁薄膜配置在巨磁阻薄膜的两侧上，朝向巨磁阻薄膜的磁敏轴方向以外的方向的磁场被一定程度地屏蔽。然而，期望一种磁传感器，其改善了朝向除磁敏轴方向之外的方向的磁场的屏蔽性能。

本发明的目的在于提供一种具有软磁体的磁传感器，当磁体用作屏蔽件时，该磁体有效地屏蔽朝向除磁敏轴方向以外的方向的磁场，并且当磁体用作磁轭时，该磁体具有小的磁滞。

根据本发明的磁传感器包括：磁阻元件，其具有多层结构和磁敏轴；以及至少一个软磁体，其设置在磁阻元件附近。从所述磁阻元件的层叠方向观察，所述软磁体至少在其角部具有倾斜线,该倾斜线相对于所述软磁体的向所述角部延伸的两边倾斜。

根据本发明的磁传感器，当磁体用作屏蔽件时，磁体有效地屏蔽朝向除磁敏轴方向以外的方向的磁场，并且当磁体用作磁轭时，磁体具有小的磁滞。

参考示出本发明的示例的附图，根据以下描述，本发明的上述和其它目的、特征和优点将变得显而易见。

附图说明

图1A是根据第一实施例的磁传感器的主要部分的透视图；

图1B是根据第一实施例的磁传感器的电路图；

图1C是构成根据第一实施例的磁传感器的主要部分的元件部的剖视图；

图1D是构成根据第一实施例的磁传感器的软磁体的关于其长轴方向的端部的放大图；

图2是构成根据第一比较例的磁传感器的软磁体的关于其长轴方向的端部的放大图；

图3A是表示倒角面积与由不必要的磁畴引起的X轴方向中的磁场的屏蔽率之间的关系的曲线图；

图3B是示出倒角面积与软磁体的长轴方向的端部的体积引起的X轴方向的磁场的屏蔽率之间的关系的曲线图；

图3C是示出倒角面积与X轴方向中的磁场的组合(即，从图3A和图3B的曲线图计算出)屏蔽率之间的关系的曲线图；

图4是示出第一实施例和第一比较例中的软磁体的X轴方向的不同位置处的X轴方向的磁场的透过率的曲线图；

图5A是构成根据第二实施例的磁传感器的软磁体的关于其长轴方向的端部的放大图；

图5B是第一实施例中的软磁体的关于其长轴方向的端部的放大图，示出第一实施例具有但第二实施例不具有的部分的磁畴；