[发明专利]一种高速双向逻辑电平转换电路

权利要求书

1.一种高速双向逻辑电平转换电路，其特征在于：所述高速双向逻辑电平转换电路包括低电压逻辑电平输入输出端D_VL、高电压逻辑电平输入输出端D_VH、逻辑电平控制模块、低压端上拉模块、高压端上拉模块、电平上升加速模块、逻辑低压V_L、逻辑高压V_H、寄生电容CL1以及寄生电容CL2，其中，

所述低电压逻辑电平输入输出端D_VL、高电压逻辑电平输入输出端D_VH、逻辑低压V_L以及逻辑高压V_H分别与所述电平上升加速模块连接；

所述低电压逻辑电平输入输出端D_VL、高电压逻辑电平输入输出端D_VH以及逻辑低压V_L分别与所述逻辑电平控制模块连接；

所述低压端上拉模块的一端与所述逻辑低压V_L连接，另一端与所述低电压逻辑电平输入输出端D_VL连接；所述高压端上拉模块的一端与所述逻辑高压V_H连接，另一端与所述高电压逻辑电平输入输出端D_VH连接；

所述寄生电容CL1的一端连接在所述逻辑电平控制模块与所述逻辑电平输入输出端D_VL的连接处，另一端接地；

所述寄生电容CL2的一端连接在所述逻辑电平控制模块与高电压逻辑电平输入输出端D_VH的连接处，另一端接地。

2.如权利要求1所述的高速双向逻辑电平转换电路，其特征在于：所述逻辑电平控制模块为一N沟道的MOS管Q1，所述MOS管Q1的栅极G1与所述逻辑低压V_L连接，源极S1与所述逻辑电平输入输出端D_VL连接，漏极D1与所述高电压逻辑电平输入输出端D_VH连接。

3.如权利要求2所述的高速双向逻辑电平转换电路，其特征在于：所述电平上升加速模块包括MOS管Q2和MOS管Q3，其中，

所述MOS管Q2的漏极D2与所述逻辑低压V_L连接，源极S2与所述低电压逻辑电平输入输出端D_VL连接，栅极G2连接在所述MOS管Q1的漏极D1与所述高电压逻辑电平输入输出端D_VH的连接处；

所述MOS管Q3的栅极G3连接在所述MOS管Q1的源极S1与所述逻辑电平输入输出端D_VL的连接处，漏极D3与所述逻辑高压V_H连接，源极S3连接在所述MOS管Q1的漏极D1与所述高电压逻辑电平输入输出端D_VH的连接处。

4.如权利要求3所述的高速双向逻辑电平转换电路，其特征在于：所述低压端上拉模块包括电阻R1，所述电阻R1的一端与所述逻辑低压V_L连接，另一端与所述低电压逻辑电平输入输出端D_VL连接。

5.如权利要求4所述的高速双向逻辑电平转换电路，其特征在于：所述高压端上拉模块包括电阻R2，所述电阻R2的一端与所述逻辑高压V_H连接，另一端与所述高电压逻辑电平输入输出端D_VH连接。