[发明专利]晶圆处理方法和装置在审
| 申请号： | 201811612240.1 | 申请日： | 2018-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN109698122A | 公开（公告）日： | 2019-04-30 |
| 发明（设计）人： | 崔世勋;具成旻;李昀泽;白宗权 | 申请（专利权）人： | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;贾玉 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶圆 自然氧化膜 去除 研磨 清洗 方法和装置 端面研磨 清洗液 晶圆处理装置 均匀变化 掩膜 种晶 污染源 损伤 | ||
1.一种晶圆处理方法，其特征在于，在对晶圆进行端面研磨之前，去除晶圆上的自然氧化膜。
2.根据权利要求1所述的晶圆处理方法，其特征在于，所述去除晶圆上的自然氧化膜包括以下步骤：
步骤S1，控制所述晶圆旋转并利用清洗液对所述晶圆进行清洗。
3.根据权利要求2所述的晶圆处理方法，其特征在于，在步骤S1中，所述晶圆的旋转速度为100-1000rpm，所述晶圆的清洗时间小于等于3min，清洗所述晶圆的清洗液为HF水溶液。
4.根据权利要求3所述的晶圆处理方法，其特征在于，在步骤S1中，所述HF水溶液的浓度为0.5-1.5％，同时向所述晶圆的正面和背面供应所述HF水溶液且供应速度为1-3L/min。
5.根据权利要求3所述的晶圆处理方法，其特征在于，在步骤S1中，通过所述HF水溶液清洗所述晶圆后再用去离子水清洗所述晶圆。
6.根据权利要求2所述的晶圆处理方法，其特征在于，清洗所述晶圆之后，端面研磨之前，所述处理方法还包括：步骤S2，通过氮气干燥清洗后的晶圆。
7.一种晶圆处理装置，其特征在于，包括处理机构，用于在对晶圆进行端面研磨之前，去除晶圆上的自然氧化膜。
8.根据权利要求7所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述处理机构包括：
旋转清洗台，用于控制所述晶圆旋转并利用清洗液对所述晶圆进行清洗。
9.根据权利要求8所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述旋转清洗台用于控制所述晶圆的旋转速度为100-1000rpm，所述晶圆的清洗时间小于等于3min，所述旋转清洗台用HF水溶液作为清洗液清洗所述晶圆。
10.根据权利要求9所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述旋转清洗台用于向所述晶圆的正面和背面供应所述HF水溶液且供应速度为1-3L/min。
11.根据权利要求9所述的晶圆处理装置，其特征在于，在步骤S1中，所述旋转清洗台用于通过所述HF水溶液清洗所述晶圆后再用去离子水清洗所述晶圆。
12.根据权利要求8所述的晶圆处理装置，其特征在于，还包括干燥结构，用于通过氮气干燥清洗后的晶圆。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
