[发明专利]晶圆处理方法和装置

说明书

本发明提供一种晶圆处理方法和装置，根据本发明的晶圆处理方法，在对晶圆进行端面研磨之前，去除晶圆上的自然氧化膜，去除晶圆上的自然氧化膜包括以下步骤：控制晶圆旋转并利用清洗液对晶圆进行清洗。根据本发明的晶圆处理方法，在对晶圆进行端面研磨之前，去除晶圆上的自然氧化膜，通过控制晶圆旋转并利用清洗液对晶圆进行清洗以去除自然氧化膜，能够避免污染源对晶圆造成损伤，避免自然氧化膜在研磨时引发化学掩膜现象，减少自然氧化膜对研磨的影响，使得研磨速度均匀稳定，摩擦力均匀变化，提高研磨品质。通过上述晶圆处理装置能够实现上述方法，能够较好地对晶圆进行清洗以去除自然氧化膜。

技术领域

本发明涉及晶圆技术领域，特别涉及一种晶圆处理方法和装置。

背景技术

硅片加工过程中，通常进行化学机械研磨，在研磨工程后，硅片表面被研磨剂的残余物污染，因而应立刻进行清洗，清洗后残留于表面上的颗粒是半导体收率损失的主要原因，因而应尽量彻底去除，并且，由于研磨不均导致的表面粗糙度变化也成为半导体收率损失的原因，因而应进行控制。

通常，在最终抛光前，硅片会因生产计划等多种原因在无尘室处于作业待机状态，此时，硅片表面会生成厚度为0.5-2nm的自然氧化膜，随着生成自然氧化膜，颗粒或污染源时而会陷落于硅片表面与自然氧化膜之间。

最终抛光工程是端面研磨工程，是在用硅片吸附模板吸附硅片背面的状态下施加压力，用浆料和抛光研磨垫研磨的工程，此时，若硅片背面有污染源，则成为硅片背面的损伤源，而且在抛光室还会将背面陷落于自然氧化膜的污染源移动至预清洗机的载体，会恶化清洗机性能，对颗粒去除率造成影响。此外，自然氧化膜在抛光时引发化学掩膜现象，降低浆料的化学研磨能力而降低掩膜率，且机械性地磨损绒系列的研磨垫表面而造成寿命减少。

在研磨工程中，就硅片的待机而言，通常将硅片置于无尘室或去离子水中保管而待机，在无尘室环境中，硅片与空气中的氧结合，经过一定时间后，生长自然氧化膜；当浸渍于去离子水中保管时，硅片表面被水中的溶解氧氧化形成氧化层，研磨硅片时，氧化层导致负荷增加。为了对生成自然氧化膜的硅片进行研磨加工，硅片贴附于贴附在加工头的硅片吸附模板，利用研磨垫和研磨浆料研磨，通过研磨硅片将包括自然氧化膜在内地直接加工生成硅硬面，研磨品质下降。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种晶圆处理方法。

本发明还提供一种晶圆处理装置，通过晶圆处理装置能够实现晶圆处理方法，能够对晶圆进行清洗以去除自然氧化膜，减少自然氧化膜对端面研磨的影响。

为解决上述技术问题，本发明采用以下技术方案：

根据本发明第一方面实施例的晶圆处理方法，在对晶圆进行端面研磨之前，去除晶圆上的自然氧化膜。

进一步地，所述去除晶圆上的自然氧化膜包括以下步骤：

步骤S1，控制所述晶圆旋转并利用清洗液对所述晶圆进行清洗。

进一步地，在步骤S1中，所述晶圆的旋转速度为100-1000rpm，所述晶圆的清洗时间小于等于3min，清洗所述晶圆的清洗液为HF水溶液。

进一步地，在步骤S1中，所述HF水溶液的浓度为0.5-1.5％，同时向所述晶圆的正面和背面供应所述HF水溶液且供应速度为1-3L/min。

进一步地，在步骤S1中，通过所述HF水溶液清洗所述晶圆后再用去离子水清洗所述晶圆。

进一步地，清洗所述晶圆之后，端面研磨之前，所述处理方法还包括：步骤S2，通过氮气干燥清洗后的晶圆。

根据本发明第二方面实施例的晶圆处理装置，包括处理机构，用于在对晶圆进行端面研磨之前，去除晶圆上的自然氧化膜。

进一步地，所述处理机构包括：旋转清洗台，用于控制所述晶圆旋转并利用清洗液对所述晶圆进行清洗。