[发明专利]二极管及其制作方法、阵列基板、显示面板

权利要求书

1.一种二极管，其特征在于，包括：衬底基板，所述衬底基板一侧设有缓冲层，所述缓冲层远离所述衬底基板一侧设置有第一膜层、第二膜层、第三膜层，所述第二膜层位于所述第一膜层远离所述缓冲层的一侧，所述第三膜层位于所述第二膜层远离所述缓冲层的一侧；所述缓冲层远离所述衬底基板一侧还设置有第四膜层，所述第四膜层位于所述第一膜层和所述第二膜层之间；

所述第一膜层为p型多晶硅，所述第四膜层为p型非晶硅，所述第二膜层为本征非晶硅，所述第三膜层为n型多晶硅；或者，

所述第一膜层为n型多晶硅，所述第四膜层为n型非晶硅，所述第二膜层为本征非晶硅，所述第三膜层为p型多晶硅；

所述二极管至少包括第一部、第四部、第二部、第三部、第一电极、第二电极，所述第一部位于所述第一膜层，所述第四部位于所述第四膜层，所述第二部位于所述第二膜层，所述第三部位于所述第三膜层；

所述第一电极位于所述第一部远离所述缓冲层的一侧，所述第一电极与所述第一部电连接，所述第二电极位于所述第三部远离所述缓冲层的一侧，所述第二电极与所述第三部电连接。

2.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于，所述第三膜层远离所述衬底基板一侧还设有透明导电层，所述第三部与所述第二电极通过透明导电层电连接。

3.一种二极管的制作方法，其特征在于，包括：

在衬底基板上沉积一层缓冲层和一层本征非晶硅后，通过晶化法，使本征非晶硅成为本征多晶硅；

进行离子掺杂，使本征多晶硅成为n型多晶硅/p型多晶硅的第一膜层；

图形化所述第一膜层，形成二极管的第一部；

沉积第一绝缘层，图形化所述第一绝缘层形成第一过孔；

沉积一层本征非晶硅后，进行离子掺杂，形成p型非晶硅/n型非晶硅的第四膜层；且当所述第一膜层为n型多晶硅时，形成的所述第四膜层为n型非晶硅；当所述第一膜层为p型多晶硅时，形成的所述第四膜层为p型非晶硅；

在所述第四膜层远离所述第一膜层一侧再沉积一层本征非晶硅，本征非晶硅的一部分作为第二膜层，另一部分先通过晶化法，使本征非晶硅成为本征多晶硅，然后对本征多晶硅进行离子掺杂，使本征多晶硅形成p型多晶硅/n型多晶硅的第三膜层；且当所述第一膜层为n型多晶硅，所述第四膜层为n型非晶硅时，形成的所述第三膜层为p型多晶硅；当所述第一膜层为p型多晶硅时，所述第四膜层为p型非晶硅，形成的所述第三膜层为n型多晶硅；

图形化所述第四膜层并在所述第一过孔内形成二极管的第四部，图形化所述第二膜层并在所述第一过孔内形成二极管的第二部，图形化所述第三膜层并在所述第一过孔内形成二极管的第三部；

图形化所述第一绝缘层形成第二过孔；

沉积一层金属层，并图形化所述金属层形成第一电极和第二电极，使所述第一电极通过所述第二过孔与所述第一部电连接，所述第二电极与所述第三部电连接。

4.一种阵列基板，其特征在于，包括：权利要求1-2任一项所述的二极管。

5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括显示区和光电探测区；

还包括遮光层、阵列层，所述遮光层位于所述衬底基板和所述阵列层之间；

所述阵列层的所述显示区范围内包括多个显示薄膜晶体管，所述阵列层的所述光电探测区范围内包括多个开关薄膜晶体管和多个指纹识别单元；

所述阵列层包括有源层、栅极层、源/漏极层，所述显示薄膜晶体管和所述开关薄膜晶体管均包括栅极、源/漏极、硅岛，所述栅极位于所述栅极层，所述源/漏极位于所述源/漏极层，所述硅岛位于所述有源层；

每个所述指纹识别单元包括所述二极管，所述二极管的所述第一部与所述硅岛同层设置。

6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，每个所述指纹识别单元还包括存储电容，所述存储电容包括第三电极和第四电极，所述第三电极与所述第一部同层设置，所述第四电极与所述栅极同层设置。

7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述第四电极通过过孔与透明导电层电连接。